[發(fā)明專利]終點(diǎn)檢測(cè)的蝕刻計(jì)量靈敏度有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710121052.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107403736B | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安德魯·D·貝利三世;穆罕默德·德里亞·特泰克;鄧肯·W·米爾斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60;G06F17/18;G06N3/02 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務(wù)所 31263 | 代理人: | 樊英如;張華 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 終點(diǎn) 檢測(cè) 蝕刻 計(jì)量 靈敏度 | ||
1.一種產(chǎn)生計(jì)算模型的方法,所述計(jì)算模型將由光能與在襯底上蝕刻的特征相互作用而產(chǎn)生的測(cè)得的光信號(hào)與在所述襯底上蝕刻的所述特征的目標(biāo)幾何參數(shù)的值相關(guān)聯(lián),所述方法包括:
確定用于所述計(jì)算模型的所述測(cè)得的光信號(hào)的范圍,其中確定所述范圍包括:
識(shí)別由于非目標(biāo)幾何參數(shù)的值的變化而在所述范圍內(nèi)的所述測(cè)得的光信號(hào)的第一變化,
識(shí)別由于所述目標(biāo)幾何參數(shù)的值的變化而在所述范圍內(nèi)的所測(cè)得的光信號(hào)的第二變化,并且
確定所述第二變化大于所述第一變化;
提供具有有在所述范圍內(nèi)的所述光信號(hào)的值的成員的訓(xùn)練集,其中所述訓(xùn)練集中的每個(gè)成員包括:(i)在所述襯底中蝕刻的所述特征的所述目標(biāo)幾何參數(shù)的值,以及(ii)從蝕刻的特征產(chǎn)生的具有在所述襯底中蝕刻的所述特征的所述目標(biāo)幾何參數(shù)的所述值的相關(guān)聯(lián)的光信號(hào);以及
從所述訓(xùn)練集產(chǎn)生所述計(jì)算模型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述訓(xùn)練集的所述成員還包括在所述襯底中蝕刻的所述特征的非目標(biāo)幾何參數(shù)的值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述訓(xùn)練集的所述成員是通過實(shí)驗(yàn)獲得的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述訓(xùn)練集的所述成員是通過計(jì)算生成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中所述訓(xùn)練集的所述成員從表面動(dòng)力學(xué)模型并根據(jù)光學(xué)建模例程生成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述訓(xùn)練集包括至少50個(gè)成員。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中從所述訓(xùn)練集產(chǎn)生所述計(jì)算模型包括使用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)或回歸技術(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,蝕刻在所述襯底上的所述特征的所述目標(biāo)幾何參數(shù)是蝕刻深度、間距或蝕刻關(guān)鍵尺寸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述光信號(hào)包括從蝕刻在所述襯底上的所述特征產(chǎn)生的反射率值。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,使得所述測(cè)得的光信號(hào)與非目標(biāo)幾何參數(shù)相關(guān)聯(lián)相比于與所述目標(biāo)幾何參數(shù)相關(guān)聯(lián)較不強(qiáng)的所述范圍是波長(zhǎng)范圍。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中確定所述范圍包括針對(duì)所述目標(biāo)幾何參數(shù)的不同值,根據(jù)所述光信號(hào)與所述目標(biāo)幾何參數(shù)的相關(guān)性的變化來確定所述范圍的變化。
12.一種計(jì)算模型,其被配置為根據(jù)測(cè)得的由光能與蝕刻在襯底上的特征相互作用而產(chǎn)生的光信號(hào)計(jì)算在所述襯底上蝕刻的所述特征的目標(biāo)幾何參數(shù)的值,其中所述計(jì)算模型根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法生成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的計(jì)算模型,其中用于生成所述計(jì)算模型的所述訓(xùn)練集的所述成員還包括在所述襯底中蝕刻的所述特征的非目標(biāo)幾何參數(shù)的值。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的計(jì)算模型,其中用于生成所述計(jì)算模型的所述訓(xùn)練集的所述成員是通過實(shí)驗(yàn)獲得的。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的計(jì)算模型,其中用于生成所述計(jì)算模型的所述訓(xùn)練集的所述成員是通過計(jì)算生成的。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)算模型,其中所述訓(xùn)練集的所述成員是從表面動(dòng)力學(xué)模型并根據(jù)光學(xué)建模例程生成的。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的計(jì)算模型,其中所述訓(xùn)練集包括至少50個(gè)成員。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的計(jì)算模型,其中所述計(jì)算模型是使用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)或回歸技術(shù)從所述訓(xùn)練集生成的。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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