[發(fā)明專利]集成電路氣密性封蓋工藝用底座在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710120614.7 | 申請(qǐng)日： | 2017-03-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106910704A | 公開（公告）日： | 2017-06-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳陶;丁雪龍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 無(wú)錫中微高科電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/687 | 分類號(hào)： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32104 | 代理人： | 殷紅梅,涂三民 |
| 地址： | 江蘇省無(wú)錫市*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 氣密性 工藝 底座 | ||
1.一種集成電路氣密性封蓋工藝用底座，其特征是：它包括底座本體（1），在底座本體（1）的上表面開設(shè)有若干組交叉凹槽，每組交叉凹槽均包括橫向凹槽（1.1）與縱向凹槽（1.2），橫向凹槽（1.1）與縱向凹槽（1.2）呈垂直相連，橫向凹槽（1.1）為長(zhǎng)方形凹槽，縱向凹槽（1.2）為長(zhǎng)圓形凹槽，且橫向凹槽（1.1）的中心與縱向凹槽（1.2）的中心重合，在底座本體（1）的上表面設(shè)有定位柱（1.3），在對(duì)應(yīng)縱向凹槽（1.2）位置的底座本體（1）的下表面開設(shè)有夾鉗槽口（1.4），夾鉗槽口（1.4）的左右對(duì)稱中心線與縱向凹槽（1.2）的左右對(duì)稱中心線重合。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路氣密性封蓋工藝用底座，其特征是：所述夾鉗槽（1.4）的寬度小于縱向凹槽（1.2）的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的集成電路氣密性封蓋工藝用底座，其特征是：所述縱向凹槽（1.2）的兩端部均為半圓形。
4.如權(quán)利要求1所述的集成電路氣密性封蓋工藝用底座，其特征是：所述橫向凹槽（1.1）的寬度與縱向凹槽（1.2）的寬度相等。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
