[發明專利]一種用于高壓直流的可控電阻子模塊及裝置

有效

• 申請號: 201710120256.X
• 申請日: 2017-03-02
• 公開（公告）號: CN106712536B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 盧東斌;陳松林;王永平;鄒強;張靖
• 申請（專利權）人: 南京南瑞繼保電氣有限公司;南京南瑞繼保工程技術有限公司
• 主分類號: H02M5/458
• 分類號: H02M5/458
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于高壓直流的可控電阻子模塊，包括兩個開關器件和一個電阻器，其特征在于，第一開關器件的負極連接電阻器的一端，正極連接第二開關器件的正極并引出子模塊的正端，第二開關器件的負極連接電阻器的另一端并引出子模塊的負端。

2.根據權利要求1所述的一種用于高壓直流的可控電阻子模塊，其特征在于：所述第一開關器件為二極管、晶閘管、可關斷晶閘管GTO、集成門極換流晶閘管IGCT、絕緣柵雙極型晶體管IGBT或電力場效應管MOSFET中的一種；所述第二開關器件為可關斷晶閘管GTO、集成門極換流晶閘管IGCT、絕緣柵雙極型晶體管IGBT或電力場效應管MOSFET中的一種。

3.根據權利要求2所述的一種用于高壓直流的可控電阻子模塊，其特征在于：所述第一開關器件采用二極管、晶閘管、可關斷晶閘管GTO或集成門極換流晶閘管IGCT時，所述正極為其陽極，所述負極為其陰極；所述第一開關器件采用絕緣柵雙極型晶體管IGBT時，所述正極為其集電極，所述負極為其發射極；所述第一開關器件采用電力場效應管MOSFET時，所述正極為其漏極，所述負極為其源極。

4.根據權利要求2所述的一種用于高壓直流的可控電阻子模塊，其特征在于：所述第二開關器件采用可關斷晶閘管GTO或集成門極換流晶閘管IGCT時，所述正極為其陽極，所述負極為其陰極；所述第二開關器件采用絕緣柵雙極型晶體管IGBT時，所述正極為其集電極，所述負極為其發射極；所述第二開關器件采用電力場效應管MOSFET時，所述正極為其漏極，所述負極為其源極。

5.根據權利要求1所述的一種用于高壓直流的可控電阻子模塊，其特征在于：所述子模塊的正端和負端并聯吸收電路；所述吸收電路采用以下兩種結構中的一種：

第一種：電阻和電容串聯支路；

第二種：采用電阻和二極管并聯后再與電容串聯支路，其中，二極管的陽極與子模塊正端相連或二極管的陰極與子模塊負端相連。

6.根據權利要求1所述的一種用于高壓直流的可控電阻子模塊，其特征在于：所述子模塊的正端和負端并聯保護電路；所述保護電路采用晶閘管，晶閘管的陰極與子模塊的正端相連，晶閘管的陽極與子模塊的負端相連。

7.一種針對如權利要求1所述用于高壓直流的可控電阻子模塊的控制方法，其特征在于：通過控制可控電阻裝置各子模塊的工作狀態，實現對可控電阻裝置的控制；

所述可控電阻裝置中各子模塊工作在3種狀態：

狀態1，第一開關器件開通，第二開關器件關斷，該子模塊的輸出電阻為電阻器的電阻值；

狀態2，第一開關器件關斷，第二開關器件開通，該子模塊的輸出電阻為零電阻值；

狀態3，第一開關器件關斷，第二開關器件關斷，該子模塊的輸出電阻為無窮大電阻值；

所述子模塊的輸出電阻是該子模塊正端相對負端的電阻。

8.一種用于高壓直流的可控電阻裝置，其特征在于：

所述可控電阻裝置部分或全部由可控電阻子模塊組成，所述可控電阻子模塊包括兩個開關器件和一個電阻器，其特征在于，第一開關器件的負極連接電阻器的一端，正極連接第二開關器件的正極并引出子模塊的正端，第二開關器件的負極連接電阻器的另一端并引出子模塊的負端；

所述可控電阻裝置采用以下四種拓撲結構中的任一種：

第一種：由子模塊串聯模塊和非線性電阻并聯組成；

第二種：由子模塊串聯模塊和全控器件串聯模塊串聯后再與非線性電阻并聯組成；

第三種：由子模塊串聯模塊和非線性電阻并聯后再與固定電阻串聯組成；

第四種：由子模塊串聯模塊和全控器件串聯模塊串聯后再與非線性電阻并聯，最后與固定電阻串聯組成。

9.根據權利要求8所述的用于高壓直流的可控電阻裝置，其特征在于：所述子模塊串聯模塊由所述可控電阻子模塊串聯組成，相鄰兩個可控電阻子模塊連接方式為第一子模塊的負端與第二子模塊的正端連接。