[發明專利]晶圓處理沉積屏蔽部件

在審

• 申請號: 201710120243.2
• 申請日: 2010-04-06
• 公開（公告）號: CN107039230A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 馬丁·L·瑞勒;毛瑞斯·E·艾華特;阿納恩薩·K·蘇布爾曼尼
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/34
• 分類號: H01J37/34;C23C14/35
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,趙靜

1.一種用于PVD腔室的上屏蔽，包含：

屏蔽部分；以及

整合的通量優化器部分，所述整合的通量優化器部分具有蜂巢結構，所述蜂巢結構與所述屏蔽部分耦接，所述蜂巢結構具有分隔的六角形孔口的六角形壁，所述孔口各個具有由深度和寬度界定的深寬比，其中通過從所述蜂巢結構的中央區域至所述蜂巢結構的周邊區域增加所述孔口的寬度和減少所述孔口的深度來減少從所述中央區域至所述周邊區域的所述孔口的深寬比。

2.如權利要求1所述的上屏蔽，其中所述中央區域內的所述六角形孔口的深寬比為從1.5:1至3:1。

3.如權利要求2所述的上屏蔽，包含選自由鋁、銅和不銹鋼所構成的組群中的材料。

4.如權利要求1所述的上屏蔽，其中所述六角形孔口的深寬比在所述蜂巢結構的所述中央區域處為3:1，并且深寬比從所述中央區域減少至所述蜂巢結構的所述周邊區域處的1:1。

5.如權利要求1所述的上屏蔽，其中所述整合的通量優化器經由支架耦接至所述屏蔽部分，所述支架包含：

外螺紋構件；以及

內螺紋構件，所述內螺紋構件與所述外螺紋構件耦接。

6.如權利要求1所述的上屏蔽，其中所述整合的通量優化器經焊接至所述屏蔽部分。

7.如權利要求1所述的上屏蔽，其中所述六角形壁具有介于0.06英寸與0.18英寸之間的厚度。

8.如權利要求7所述的上屏蔽，其中所述六角形壁具有介于0.12英寸與0.15英寸之間的厚度。

9.如權利要求1所述的上屏蔽，其中所述蜂巢結構的所述周邊區域具有斜面壁。

10.如權利要求1所述的上屏蔽，其中所述屏蔽部分和所述整合的通量優化器部分由單塊鋁來機械加工。

11.如權利要求1所述的上屏蔽，其中所述屏蔽部分包含從圓柱狀帶向外延伸的支撐凸緣。

12.如權利要求11所述的上屏蔽，其中所述支撐凸緣包含環繞所述圓柱狀帶呈周期性定位的一或多個凹口。

13.一種處理套組，包含：

如權利要求1所述的上屏蔽；和

下屏蔽，用于圍繞基板支撐座，所述基板支撐座在基板處理腔室中面對濺射靶材，所述下屏蔽包含：

圓柱狀外側帶，所述圓柱狀外側帶具有經調整尺寸以圍繞該濺射靶材的濺射表面與基材支撐座的第一直徑，所述圓柱狀外側帶包含：

上部分，所述上部分圍繞所述濺射靶材的所述濺射表面，所述上部分具有：

頂表面；

內周邊；和

外周邊，其中所述外周邊向上延伸至所述頂表面上方以形成環形唇部，所述環形唇部形成具有所述頂表面的梯狀部分以用于與所述上屏蔽相接合；

中間部分；和

下部分，用于圍繞所述基板支撐座；

支撐凸緣，所述支撐凸緣具有支撐表面并從所述圓柱狀外側帶徑向向外延伸；

基底板，所述基底板從所述圓柱狀外側帶的所述下部分徑向向內延伸；以及

圓柱狀內側帶，所述圓柱狀內側帶與所述基底板耦接以用于部分地圍繞所述基材支撐座的周邊邊緣。

14.如權利要求13所述的處理套組，其中所述上部分的所述內周邊與垂直方向的夾角2度至10度。

15.如權利要求14所述的處理套組，其中所述圓柱狀內側帶、所述基底板、所述圓柱狀外側帶形成U形信道。

16.如權利要求15所述的處理套組，其中所述圓柱狀內側帶包含高度，所述高度低于所述圓柱狀外側帶的高度。

17.如權利要求16所述的處理套組，其中所述圓柱狀內側帶的高度是所述圓柱狀外側帶的高度的五分之一。

18.如權利要求13所述的處理套組，其中所述圓柱狀外側帶、所述支撐凸緣、所述基底板、和所述圓柱狀內側帶包含單一結構。