[發明專利]太陽能電池片擴散方法有效
| 申請號: | 201710119930.2 | 申請日: | 2017-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN106856215B | 公開(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發明(設計)人: | 肖川;梁杭偉;李家蘭;葉雄新;彭華 | 申請(專利權)人: | 東莞南玻光伏科技有限公司;中國南玻集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 生啟 |
| 地址: | 523141 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 擴散 方法 | ||
1.一種太陽能電池片擴散方法,其特征在于,按照先后順序包括以下步驟:
將太陽能電池片放入擴散爐中進行進舟處理,其中,所述進舟處理的時間為750s~850s,所述擴散爐的溫度為800℃~850℃,大氮流量為28slm~30slm,進舟速度為250mm/min~350mm/min;
將所述太陽能電池片進行中低溫穩定處理,其中,所述中低溫穩定處理的時間為180s~250s,所述擴散爐的溫度與所述進舟處理時相同,大氮流量為22slm~25slm;
將所述太陽能電池片進行中低溫沉積處理,其中,所述中低溫沉積處理的時間為500s~700s,所述擴散爐的溫度為800℃~810℃,小氮流量為0.8slm~1.2slm,小氧流量為0.8slm~1.2slm,大氮流量為22slm~25slm;
將所述太陽能電池片進行邊升溫邊推進處理,其中,所述邊升溫邊推進處理的時間500s~700s,所述擴散爐的溫度為840℃~860℃,大氮流量22slm~25slm;
將所述太陽能電池片進行高溫沉積處理,其中,所述高溫沉積處理的時間350-450s,所述擴散爐的溫度與所述邊升溫邊推進處理時相同,小氮流量為1.5slm~1.7slm,小氧流量為1.5slm~1.7slm,大氮流量為22slm~25slm;
將所述太陽能電池片進行高溫推進處理,其中,所述高溫推進處理的時間為300s~400s,所述擴散爐的溫度與所述邊升溫邊推進處理時相同,大氮流量為22slm~25slm;
將所述太陽能電池片進行邊降溫邊推進處理,其中,所述邊降溫邊推進處理的時間為600s~700s,所述擴散爐的溫度為600℃~700℃,大氮流量為22slm~25slm,氧氣流量為2slm~3slm;
將所述太陽能電池片進行退火吸雜處理,其中,所述退火吸雜處理的時間為500s~1400s,所述擴散爐的溫度為600℃~700℃,大氮流量為22slm~25slm;及
將所述太陽能電池片進行中低溫出舟處理,其中,所述中低溫出舟處理的時間為750s~850s,所述擴散爐的溫度為800℃~810℃,大氮流量為28slm~30slm,出舟速度為250mm/min~350mm/min。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池片擴散方法,其特征在于,所述進舟處理時,所述擴散爐的爐口至爐尾溫度分別為820℃、810℃、800℃、800℃、800℃。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池片擴散方法,其特征在于,所述中低溫沉積處理時,所述擴散爐的爐口至爐尾溫度分別為810℃、800℃、800℃、800℃、800℃。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池片擴散方法,其特征在于,所述中低溫出舟處理處理時,所述擴散爐的爐口至爐尾溫度分別為810℃、800℃、800℃、800℃、800℃。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池片擴散方法,其特征在于,所述太陽能電池片進行中低溫出舟處理后的方阻控制在90~100Ω/sq。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池片擴散方法,其特征在于,所述太陽能電池片為多晶硅片。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池片擴散方法,其特征在于,在所述將太陽能電池片放入擴散爐中進行進舟處理的步驟之前還包括步驟:對所述太陽能電池片進行清洗。
8.根據權利要求6所述的太陽能電池片擴散方法,其特征在于,在所述將太陽能電池片放入擴散爐中進行進舟處理的步驟之前還包括步驟:對所述太陽能電池片進行制絨處理。
9.根據權利要求1所述的太陽能電池片擴散方法,其特征在于,所述將太陽能電池片進行中低溫沉積處理的步驟中,小氮中磷源的摩爾百分含量為3.5%,中低溫沉積處理的時間為600s。
10.根據權利要求9所述的太陽能電池片擴散方法,其特征在于,所述磷源為POCl3。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





