[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201710119851.1
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN107230642B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 金井直之;淺井竜彥
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/29;C08K3/32;C08L63/00
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;王艷春

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置具有層疊基板和密封材料，其中，所述層疊基板上安裝有半導體元件，所述密封材料包括環氧樹脂主劑、硬化劑和膦酸，其中，

所述膦酸含有至少一個膦酰基-P(＝O)(OH)₂并且含有氨基和/或羧基，以及

所述膦酸以對100質量份的所述環氧樹脂主劑為0.01至1質量份的方式均勻地混合在所述密封材料中。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括樹脂外殼。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，所述樹脂外殼是經過表面處理的樹脂外殼。

4.根據權利要求 2所述的半導體裝置，所述樹脂外殼包括聚苯硫醚樹脂。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，所述樹脂外殼的表面上形成有膦酸層。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述環氧樹脂主劑是脂環族環氧樹脂和/或脂肪族環氧樹脂。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述環氧樹脂主劑是脂肪族環氧樹脂。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，所述密封材料還包括無機填料，并且/或者所述硬化劑是酸酐類硬化劑。

9.根據權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，所述半導體元件包括Si半導體元件、SiC半導體元件和GaN半導體元件中的任一個。

10.一種半導體裝置的制造方法，包括以下步驟：

將半導體元件安裝到層疊基板上；

在包括所述層疊基板和所述半導體元件的部件的表面上形成膦酸層；以及

使包括環氧樹脂主劑和硬化劑的環氧樹脂組合物接觸所述膦酸層。

11.一種半導體裝置的制造方法，包括以下步驟：

將半導體元件安裝到層疊基板上；

在安裝有所述半導體元件的層疊基板處設置外殼；

至少在所述外殼的表面上形成膦酸層；以及

使包括環氧樹脂主劑和硬化劑的環氧樹脂組合物接觸所述膦酸層。

12.根據權利要求11所述的制造方法，還包括：在形成所述膦酸層之前，對所述外殼的表面執行表面處理。

13.一種半導體裝置的制造方法，包括以下步驟：

將半導體元件安裝到層疊基板上；以及

用密封材料密封包括所述層疊基板和所述半導體元件的部件，其中，所述密封材料包括環氧樹脂主劑、硬化劑和膦酸，所述膦酸含有至少一個膦酰基-P(＝O)(OH)₂并且含有氨基和/或羧基，

所述膦酸以對100質量份的所述環氧樹脂主劑為0.01至1質量份的方式被包括。

14.根據權利要求13所述的方法，還包括在安裝有所述半導體元件的層疊基板處設置外殼。

15.一種用于密封電子裝置的樹脂組合物，包括環氧樹脂、硬化劑和膦酸，所述膦酸含有至少一個膦酰基-P(＝O)(OH)₂并且含有氨基和/或羧基，

所述膦酸以對100質量份的所述環氧樹脂主劑為0.01至1質量份的方式被包括。

16.一種電子裝置，所述電子裝置由權利要求15所述的樹脂組合物密封。