[發明專利]一種半透掩膜構圖方法及陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710119773.5
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN106887379B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 黃中浩;趙永亮;周厚峰;寧智勇;周宏儒
• 申請（專利權）人: 重慶京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/13;H01L27/02
• 代理公司: 11274 北京中博世達專利商標代理有限公司
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種半透掩膜構圖方法及陣列基板、顯示裝置，涉及顯示技術領域，能夠減小位于基板上相鄰的兩個圖案層中靠近基板一側的圖案層的突出部(Tail)。該半透掩膜構圖方法包括在襯底基板上依次形成第一薄膜層、第二薄膜層、光阻薄膜層，通過半透掩膜板對光阻薄膜層進行曝光以及顯影處理，對經過曝光和顯影后的基板進行第一次刻蝕，對經過第一次刻蝕后的基板進行第二次刻蝕，對經過第一次刻蝕后的基板進行鈍化處理，對經過鈍化處理后的基板進行灰化處理，對經過灰化處理和第二次刻蝕后的基板進行第三次刻蝕，對經過第三次刻蝕后的基板進行剝離處理。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種半透掩膜構圖方法及陣列基板、顯示裝置。

背景技術

半透掩膜(Half Tone Mask)構圖方法通過采用半透掩膜板對兩個薄膜層進行一次曝光和多次刻蝕以形成兩個膜層圖案，能夠大幅簡化陣列基板制作工藝，降低制作成本，從而成為制作陣列基板時的常用制作工藝。

然而采用上述半透掩膜構圖方法在經過多次刻蝕形成兩個膜層圖案時，容易造成位于基板上的兩個膜層圖案中靠近基板的膜層圖案具有突出部(Tail)，而該突出部(Tail)對于傳導和顯示均無作用，同時在該陣列基板用于顯示時，還會與其他膜層的電極圖案形成寄生電容，導致漏光和能耗增加等弊端。

具體的，以a-Si(非晶硅)TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，薄膜晶體管-液晶顯示器)的陣列基板制作過程中采用半透掩膜構圖方法形成源漏、數據線圖案層和半導體有源層圖案層為例，如圖1所示，在襯底基板10上依次形成半導體層20、金屬層30、光阻薄膜層40，對該基板進行曝光顯影、第一次刻蝕、第二次刻蝕、灰化、第三次刻蝕、剝離處理(具體見圖1中a-b-c-d-e-f-g)，形成在金屬層30中形成源漏、數據線圖案層，在半導體層20中形成半導體有源層圖案層，當然對于a-Si TFT-LCD，在第三次刻蝕和剝離處理之間還包括第四次刻蝕，以去除半導體有源層圖案層中對應源極和漏極之間的導電性較好的N⁺a-Si層，以保證TFT的正常工作。

由于第一次刻蝕和第二次刻蝕之間存在一定的工藝差異，如圖1中(d)所示，會導致半導體層20中的圖案相對于金屬層30中的圖案具有突出部200；另外，在經過第三次刻蝕后，如圖1中(f)所示，由于第三次刻蝕對金屬層30中形成的圖案產生進一步的刻蝕，從而導致上述突出部200進一步的增加，而該突出部200對數據線信號沒有傳導作用，但是光照情況下會產生較高的光生載流子濃度，從而增加了數據線與TFT中的柵極，以及LCD中的像素電極、公共電極間的寄生電容，對顯示畫面造成不良影響，并使得顯示裝置的功耗增加。

另外，如圖2所示，通過上述半透掩膜構圖方法形成源漏、數據線圖案層中數據線301下方的半導體有源層圖案層具有的突出部200，會與顯示裝置中的公共電極之間產生電場，從而影響液晶分子的偏轉，造成漏光現象，當然現有技術中，一般采用增加黑矩陣的寬度來遮擋漏光位置，從而導致開口率減小。

發明內容

本發明的實施例提供一種半透掩膜構圖方法及陣列基板、顯示裝置，能夠減小位于基板上相鄰的兩個圖案層中靠近基板一側的圖案層的突出部(Tail)。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：