[發明專利]一種垂直MOSFET及其制造方法在審
| 申請號： | 201710117924.3 | 申請日： | 2017-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN107017306A | 公開（公告）日： | 2017-08-04 |
| 發明（設計）人： | 秦長亮;殷華湘;李俊峰;趙超;劉實 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 垂直 mosfet 及其 制造 方法 | ||
1.一種垂直MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：
形成臺階結構的絕緣介質層；
在所述絕緣介質層的臺階側壁形成柵極側墻，并沉積柵介質層；
在所述柵介質層上沉積二維材料層形成溝道區；
在所述臺階側壁的兩側分別形成與所述溝道區連接的源極和漏極。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成臺階結構的絕緣介質層，包括：
沉積絕緣介質層；
光刻所述絕緣介質層形成臺階結構。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成臺階結構的絕緣介質層，包括：
依次沉積第一絕緣介質層和第二絕緣介質層；
以所述第一絕緣介質層作為刻蝕停止層，光刻所述第二絕緣介質層形成臺階結構，其中，所述第一隔離介質與所述第二隔離介質為不同材料。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成臺階結構的絕緣介質層，包括：
依次沉積第一絕緣介質層、薄層材料和第二絕緣介質層；
以所述薄層材料作為刻蝕停止層，光刻所述第二絕緣介質層形成臺階結構，其中，所述第一絕緣介質與所述第二絕緣介質為不同材料或相同材料。
5.如權利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述絕緣介質為SiN、Si3N4、SiO2或SiCO。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述二維材料層的摻雜類型與所述漏極的摻雜類型不相同。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述臺階側壁的兩側分別形成與所述溝道區連接的源極和漏極，包括：
采用Lift-off工藝，在所述臺階側壁的兩側分別形成與所述溝道區連接的源極和漏極。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述臺階側壁的兩側分別形成與所述溝道區連接的源極和漏極，包括：
在所述臺階側壁區域沉積光刻膠；
在所述二維材料層和所述光刻膠上沉積源、漏極材料；
去除所述光刻膠，以在所述臺階側壁的兩側分別形成與所述二維材料層接觸連接的源極和漏極。
9.一種垂直MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：
形成臺階結構的絕緣介質層；
在所述臺階結構上沉積二維材料層形成溝道區；
在所述二維材料層的臺階側壁依次沉積柵介質層和柵極側墻；
在所述臺階側壁的兩側分別形成與所述溝道區連接的源極和漏極。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成臺階結構的絕緣介質層，包括：
沉積絕緣介質層；
光刻所述絕緣介質層形成臺階結構。
11.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成臺階結構的絕緣介質層，包括：
依次沉積第一絕緣介質層和第二絕緣介質層；
以所述第一絕緣介質層作為刻蝕停止層，光刻所述第二絕緣介質層形成臺階結構，其中，所述第一隔離介質與所述第二隔離介質為不同材料。
12.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成臺階結構的絕緣介質層，包括：
依次沉積第一絕緣介質層、薄層材料和第二絕緣介質層；
以所述薄層材料作為刻蝕停止層，光刻所述第二絕緣介質層形成臺階結構，其中，所述第一絕緣介質與所述第二絕緣介質為不同材料或相同材料。
13.如權利要求9-12任一所述的方法，其特征在于，所述絕緣介質為SiN、Si3N4、SiO2或SiCO。
14.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述二維材料層的摻雜類型與所述漏極的摻雜類型不相同。
15.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述臺階側壁的兩側分別形成與所述溝道區連接的源極和漏極，包括：
采用Lift-off工藝，在所述臺階側壁的兩側分別形成與所述溝道區連接的源極和漏極。
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