[發明專利]一種量子點發光二極管器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201710117613.7
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN108539028B
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發明（設計）人: 張東華;向超宇;張滔;辛征航;李樂
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點發光二極管器件，其特征在于，包括中間設置有凹槽的玻璃襯底，所述凹槽的底面、側面及玻璃襯底的上表面均設置有底電極層，所述凹槽側面及玻璃襯底上表面的底電極層上均設置有一絕緣層，所述凹槽底面的底電極層上依次設置有空穴傳輸層、量子點發光層以及電子傳輸層，所述凹槽側面和玻璃襯底上表面的絕緣層上以及電子傳輸層的表面均設置有頂電極層。

2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件，其特征在于，所述凹槽的形狀為矩形、圓柱形、梯形中的一種。

3.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件，其特征在于，所述絕緣層的材料為SiOx，SiNx，TiO2中的一種。

4.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件，其特征在于，所述空穴傳輸層和底電極之間還設置有空穴注入層。

5.根據權利要求4所述的量子點發光二極管器件，其特征在于，所述頂電極層上還設置有用于將空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層以及電子傳輸層封裝在所述凹槽內部的封裝膠。

6.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件，其特征在于，所述底電極層的材料為ITO、AZO、FTO中的一種。

7.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件，其特征在于，所述量子點發光層的材料為II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族單質中的一種或多種。

8.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件，其特征在于，所述量子點發光層的厚度為10-100nm。

9.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件，其特征在于，所述空穴傳輸層和電子傳輸層的厚度均為5-100nm。

10.一種量子點發光二極管器件的制備方法，其特征在于，包括步驟：

A、在玻璃襯底的中間位置上設置一凹槽，并在所述凹槽的底面、側面及玻璃襯底的上表面沉積一底電極層；

B、在所述凹槽側面及玻璃襯底上表面的底電極層上沉積一絕緣層；

C、在所述凹槽底面的底電極層表面沉積空穴傳輸層；

D、在所述空穴傳輸層表面沉積量子點發光層；

E、在所述量子點發光層表面沉積電子傳輸層；

F、在凹槽側面和玻璃襯底上表面的絕緣層上以及電子注入層表面上制作頂電極層。