[發明專利]半導體裝置及形成半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201710117299.2
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN107204297A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 巖本正次
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體裝置，其包括：

襯底；

半導體芯片，其安裝于所述襯底上；

密封樹脂層，其密封所述半導體芯片；及

膜，其覆蓋所述密封樹脂層的至少一上表面，所述膜由選自由鋅、鋁、錳、其合金、金屬氧化物、金屬氮化物及金屬氮氧化物組成的群組的材料制成。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述膜具有超過30GPa的楊氏模量及超過16.2×10^-6℃的熱膨脹系數。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，

其中所述膜具有等于或大于0.5μm且等于或小于5μm的厚度。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，

其中所述半導體芯片上的所述密封樹脂層的厚度等于或小于300μm。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，

其中所述膜僅覆蓋所述密封樹脂層的所述上表面，且所述裝置進一步包括覆蓋所述膜的前表面、所述密封樹脂層的側表面及所述襯底的側表面的導電屏蔽層及保護層中的至少一者。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述膜由金屬化合物制成。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其進一步包括導電屏蔽層及保護層中的至少一者。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述導電屏蔽層覆蓋所述膜的前表面、所述密封樹脂層的側表面及所述襯底的側表面。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中所述保護層是防腐的。

10.一種半導體裝置，其包括：

襯底；

半導體芯片，其安裝于所述襯底上；

密封樹脂層，其密封所述半導體芯片；及

膜，其覆蓋所述密封樹脂層的至少一上表面，所述膜具有等于或大于0.5μm且等于或小于5μm的厚度，其中所述膜由選自由鋅、鋁、錳、其合金、金屬氧化物、金屬氮化物及金屬氮氧化物組成的群組的材料制成。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述膜僅覆蓋所述密封樹脂層的所述上表面。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其進一步包括導電屏蔽層及保護層中的至少一者。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中所述導電屏蔽層覆蓋所述膜的前表面、所述密封樹脂層的側表面及所述襯底的側表面。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中所述膜由具有等于或高于50GPa的楊氏模量的材料制成。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置，其中所述導電屏蔽層連接到所述襯底的所述側表面處的接地線。

16.根據權利要求15所述的半導體裝置，其中所述保護層是防腐的。

17.一種形成半導體裝置的方法，其包括：

將多個半導體芯片粘附到布線襯底；

將所述半導體芯片電連接到所述布線襯底；

在所述襯底上方施加密封樹脂；

在所述密封樹脂的上表面上形成翹曲調整層，所述翹曲調整層由選自由鋅、鋁、錳、其合金、金屬氧化物、金屬氮化物及金屬氮氧化物組成的群組的材料制成；及

將所述襯底分離到多個半導體裝置中。

18.根據權利要求17所述的形成所述半導體裝置的方法，其中所述翹曲調整膜具有超過30GPa的楊氏模量及超過16.2×10^-6℃的熱膨脹系數。

19.根據權利要求17所述的形成所述半導體裝置的方法，其進一步包括在所述半導體裝置中的每一者上形成導電屏蔽層，所述導電屏蔽層覆蓋所述翹曲調整膜的所述前表面且連接到所述布線襯底中的暴露的接地線。

20.根據權利要求19所述的形成所述半導體裝置的方法，其進一步包括在所述導電屏蔽層上方形成防腐的保護層。