[發(fā)明專利]基于亞波長光柵結(jié)構(gòu)的寬帶氮化硅波導(dǎo)耦合器

在審

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• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN106772801A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馮吉軍;顧昌林;曾和平
• 申請（專利權(quán)）人: 上海理工大學
• 主分類號: G02B6/125
• 分類號: G02B6/125;G02B6/124
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司31001
• 代理人: 吳寶根

1.一種基于亞波長光柵結(jié)構(gòu)的寬帶氮化硅波導(dǎo)耦合器，其特征在于，由兩個完全左右前后對稱的結(jié)構(gòu)相同的氮化硅波導(dǎo)耦合組成，輸入端為分離的直波導(dǎo)，經(jīng)過彎曲的錐形波導(dǎo)進入耦合區(qū)，到周期光柵結(jié)構(gòu)波導(dǎo)，再到彎曲的錐形波導(dǎo)到輸出端分離的直波導(dǎo)，錐形波導(dǎo)中間為從直波導(dǎo)寬度漸變小的錐形，兩邊為等寬的鋸齒形，鋸齒形的間隔結(jié)構(gòu)與光柵結(jié)構(gòu)相同，該波導(dǎo)耦合器從頭到尾寬度和高度完全相等。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于亞波長光柵結(jié)構(gòu)的寬帶氮化硅波導(dǎo)耦合器，其特征在于，所述彎曲的錐形波導(dǎo)為S形的錐形波導(dǎo)，入射端兩直波導(dǎo)間距是光柵結(jié)構(gòu)波導(dǎo)間距的十倍以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述基于亞波長光柵結(jié)構(gòu)的寬帶氮化硅波導(dǎo)耦合器，其特征在于，所述兩個完全左右前后對稱的結(jié)構(gòu)相同的氮化硅波導(dǎo)外由微米厚的二氧化硅層包裹。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述基于亞波長光柵結(jié)構(gòu)的寬帶氮化硅波導(dǎo)耦合器，其特征在于，所述光柵結(jié)構(gòu)波導(dǎo)導(dǎo)寬為1800納米,高度為330納米，光柵周期為350納米，占空比為0.315，占空比即為硅條紋寬度和周期的比值，耦合長度25.2微米，波長為1550納米的TE偏振光從輸入端直波導(dǎo)沿波導(dǎo)入射時,實現(xiàn)50:50的耦合比，光柵結(jié)構(gòu)波導(dǎo)間距450納米時實現(xiàn)從1500納米到1620納米波段耦合器出射端光功率差值在0.2分貝以內(nèi)。