[發明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201710116676.0
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN107146754B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 保羅·貝內特
• 申請（專利權）人: SPTS科技有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 章蕾

1.一種用于對基底進行等離子體處理的等離子體處理裝置，包括：

腔，包括一個或多個壁，其中，所述腔的壁的一部分是電極結構，所述電極結構是由含金屬的材料形成的并且被構造成用作電感耦合等離子體源的初級繞組；以及

電信號供應設備，用于供應電信號，所述電信號驅動所述電極結構作為電感耦合等離子體源的初級繞組，以將電感耦合等離子體保持在所述腔內，其中所述電極結構是圍繞所述腔的外周形成單匝的單個不連續帶。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述電極結構包括圍繞所述腔的外周形成單匝的多個間隔開的帶段。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中，所述帶段是被腔壁的由介電材料形成的多個部分間隔開的。

4.根據權利要求2或權利要求3所述的裝置，其中，所述帶段與所述電信號供應設備并聯連接。

5.根據權利要求2或權利要求3所述的裝置，其中，所述帶段在它們的中點處接地。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述電極結構的靠近基底支撐件的下部區域包括防止在所述下部區域中形成初級電流路徑的一個或多個不連續部。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中，所述不連續部是在所述電極結構中形成的槽。

8.根據從屬于權利要求6或權利要求7所述的裝置，其中，所述電極結構中的每個帶段的下部區域包括不連續部。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述含金屬的材料是金屬。

10.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述電極結構與所述腔的內部直接通信。

11.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述電極結構穿過至少一個腔壁而從所述至少一個腔壁的外表面延伸到內表面。

12.根據權利要求1所述的裝置，還包括布置在所述腔內的基底支撐件。

13.根據權利要求12所述的裝置，還包括用于將所述基底裝載在所述基底支撐件上的裝載機構。

14.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述腔的一個壁或多個壁的不是由所述電極結構構成的其余部分是由一種或多種介電材料形成的。

15.根據權利要求1所述的裝置，包括用于冷卻所述電極結構的冷卻系統。

16.根據權利要求15所述的裝置，其中，所述冷卻系統包括在所述電極結構中形成的用于允許冷卻液流經所述電極結構的通道。

17.根據權利要求1所述的裝置，包括具有所述電極結構的單個腔。

18.根據權利要求1所述的裝置，包括具有所述電極結構的第一腔以及一個或多個其他腔，所述第一腔用作等離子體源，而在所述一個或多個其他腔中發生所述等離子體處理。

19.根據權利要求18所述的裝置，其中，所述第一腔用作自由基的源，所述等離子體處理是基于自由基的等離子體處理。

20.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述電信號供應設備供應驅動所述電極結構的RF電信號。