[發明專利]基板處理裝置以及半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201710116659.7
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN107871653B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 吉野晃生;保井毅
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;閆劍平

1.一種基板處理裝置，其特征在于，

具有：

多個處理室，其對基板進行處理；

加熱部，其分別設置于所述多個處理室，將所述基板加熱至規定溫度；

真空搬運室，其經由閘閥與所述多個處理室連接；

溫度傳感器，其在所述真空搬運室內、且在所述閘閥的前方對所述基板的溫度進行測定；

搬運機械臂，其設置于所述真空搬運室，能夠對多個所述基板進行搬運；

預真空鎖室，其與所述真空搬運室連接；

支承部，其設置于所述預真空鎖室內，對在所述處理室處理后的基板進行支承；

非活性氣體供給部，其向所述預真空鎖室供給非活性氣體；

存儲裝置，其記錄有與所述基板的溫度對應的冷卻配方；以及

控制部，其在所述處理室中將所述基板加熱處理至規定溫度之后，使所述基板從所述處理室搬運到所述預真空鎖室，從所述存儲裝置讀出與利用所述溫度傳感器測定到的溫度對應的所述冷卻配方，以使得基于所述冷卻配方向所述基板供給所述非活性氣體而對所述基板進行冷卻的方式對所述非活性氣體供給部進行控制。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述搬運機械臂具有兩個臂，

所述控制部以在進行第1搬運和第2搬運的情況下使從所述存儲裝置讀出的冷卻配方的所述非活性氣體的供給量不同來對所述基板進行冷卻的方式，對所述搬運機械臂和所述非活性氣體供給部進行控制，

所述第1搬運是在利用所述兩個臂中的一個臂從所述處理室將處理完畢的基板搬出、且利用另一個臂將未處理的基板搬入之后，將搬出的所述基板搬運至所述預真空鎖室，

所述第2搬運是在利用所述兩個臂中的一個臂從所述處理室將處理完畢的基板搬出、且沒有利用另一個臂將未處理的基板搬入而將所述處理完畢的基板搬運至所述預真空鎖室。

3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部以使在進行所述第2搬運的情況下的所述非活性氣體的供給量多于在進行所述第1搬運的情況下的所述非活性氣體的供給量的方式對所述非活性氣體供給部進行設定，并對所述搬運機械臂和所述非活性氣體供給部進行控制。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

具有冷卻部，該冷卻部設置于所述預真空鎖室內的與所述基板相對的位置，向所述冷卻部的內部供給有制冷劑，

所述控制部以使得基于所述冷卻配方來供給所述制冷劑的方式對所述冷卻部進行控制。

5.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，

具有如下的工序：

在多個處理室各自中對多個基板進行加熱處理的工序；

利用在經由閘閥與所述多個處理室連接的真空搬運室內設置的搬運機械臂將加熱處理后的所述基板從所述處理室搬運至與所述真空搬運室連接的預真空鎖室的工序；以及

從存儲裝置讀出與在所述閘閥的前方由溫度傳感器測定到的所述基板的溫度對應的冷卻配方，并且在所述預真空鎖室中，基于所述冷卻配方向所述基板供給非活性氣體而對所述基板進行冷卻的工序。

6.一種記錄介質，其特征在于，

記錄有通過計算機使基板處理裝置執行如下的步驟的程序：

在多個處理室各自中對多個基板進行加熱處理的步驟；

利用在經由閘閥與所述多個處理室連接的真空搬運室內設置的搬運機械臂將加熱處理后的所述基板從所述處理室搬運至與所述真空搬運室連接的預真空鎖室的步驟；以及

從存儲裝置讀出與在所述閘閥的前方由溫度傳感器測定到的所述基板的溫度對應的冷卻配方，并且在所述預真空鎖室中，基于所述冷卻配方向所述基板供給非活性氣體而對所述基板進行冷卻的步驟。