[發(fā)明專利]一種利用原子層沉積技術(shù)通過置換反應(yīng)制備透明銅薄膜導(dǎo)電電極的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710116077.9
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號(hào): CN106868470A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 段羽;熊鵬鵬;陳平;劉云飛;劉輝;王浩然;趙毅
• 申請（專利權(quán)）人: 吉林大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C16/04
• 分類號(hào): C23C16/04;C23C16/18;C23C16/455;H01L31/0224;H01L33/36;G02F1/1343
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責(zé)任公司22201
• 代理人: 劉世純,王恩遠(yuǎn)

1.一種利用原子層沉積技術(shù)通過置換反應(yīng)制備透明銅薄膜導(dǎo)電電極的方法，其步驟如下：

1)將透明基底依次用丙酮、乙醇及去離子水擦拭，并依次用丙酮、乙醇及去離子水超聲清洗，然后用氮?dú)獯蹈桑?/p>

2)在步驟1)得到的透明基底的同一側(cè)表面粘貼兩條相互分立的保護(hù)膜，兩條保護(hù)膜對(duì)稱地位于基底表面靠近邊緣處的位置，得到圖形化透明基底，然后將該圖形化透明基底送入原子層沉積設(shè)備的反應(yīng)室中；

3)向原子層沉積設(shè)備的反應(yīng)室內(nèi)依次通入反應(yīng)物前驅(qū)體二乙基鋅和二(六氟乙酰丙酮)銅，在步驟2)得到的圖形化透明基底上沉積生長厚度為10～12nm的透明銅薄膜，生長完成后揭下保護(hù)膜；

4)將步驟3)得到的透明基底及其上沉積生長的透明銅薄膜高溫退火，退火溫度為200～300℃，退火時(shí)間為20～30min，從而在透明基底上得到圖形化的均勻透明銅薄膜導(dǎo)電電極。

2.如權(quán)利要求1所述的一種利用原子層沉積技術(shù)通過置換反應(yīng)制備透明銅薄膜導(dǎo)電電極的方法，其特征在于：步驟1)中所述的透明基底為拋光玻璃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯或聚醚酰亞胺。

3.如權(quán)利要求1所述的一種利用原子層沉積技術(shù)通過置換反應(yīng)制備透明銅薄膜導(dǎo)電電極的方法，其特征在于：步驟2)中所述的保護(hù)膜為硅片保護(hù)膜。

4.如權(quán)利要求1所述的一種利用原子層沉積技術(shù)通過置換反應(yīng)制備透明銅薄膜導(dǎo)電電極的方法，其特征在于：步驟3)中所述的沉積是在原子層沉積系統(tǒng)中進(jìn)行的，反應(yīng)室內(nèi)沉積壓力為0.1～1Torr，沉積溫度為100～130℃。

5.如權(quán)利要求1所述的一種利用原子層沉積技術(shù)通過置換反應(yīng)制備透明銅薄膜導(dǎo)電電極的方法，其特征在于：步驟3)中二乙基鋅的脈沖時(shí)間為0.02s～0.03/循環(huán)，氮?dú)馀趴諘r(shí)間80s/循環(huán)以上；二(六氟乙酰丙酮)銅的脈沖時(shí)間0.08～0.1s/循環(huán)，氮?dú)馀趴諘r(shí)間120s/循環(huán)以上。