[發(fā)明專利]一種光敏電阻瓷及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710114863.5 | 申請日: | 2017-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN106816489A | 公開(公告)日: | 2017-06-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 何東;張?zhí)煊?/a>;宋曉超;張?zhí)焓?/a> | 申請(專利權)人: | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0296 | 分類號: | H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產權代理事務所(普通合伙)11411 | 代理人: | 張清彥 |
| 地址: | 230012 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光敏 電阻 及其 制備 方法 | ||
1.一種光敏電阻瓷,其特征在于是由以下重量份的組分制成:CdS 50~70份,CdSe 20~35份,CdCl2 2~3.5份、ZnCl2 2.5~4份、CuCl2 3~4份、LiCl2 1~3.5份、Cu含量為1mg/ml的Cu(NO3)2溶液0.5~1.5重量份。
2.根據權利要求1所述的一種光敏電阻瓷,其特征在于:是由以下重量份的組分制成:CdS 60份,CdSe 30份,CdCl2 2.8份、ZnCl2 3.5份、CuCl2 3.5份、LiCl2 2份、Cu含量為1mg/ml的Cu(NO3)2溶液1份。
3.一種權利要求1或2所述的光敏電阻陶瓷的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)取CdSe在氮氣氣氛中400~500℃燒5~7小時,再加去離子水研細,烘干備用;
(2)取CdS、CdCl2、ZnCl2、CuCl2、LiCl2和步驟(1)中烘干備用的CdSe,加入去離子水研混均勻,再加入Cu(NO3)2研磨均勻;
(3)將上述混合液用噴槍噴在基體上噴膜、干燥,放入管式爐中進行燒成,即得。
4.根據權利要求3所述的一種光敏電阻陶瓷的制備方法,其特征在于:所述燒成是氮氣氣氛中,600℃保溫30~45分鐘。
5.根據權利要求3所述的一種光敏電阻陶瓷的制備方法,其特征在于:所述步驟(3)在噴膜后還包括在噴膜上噴涂隔離層的步驟。
6.根據權利要求5所述的一種光敏電阻陶瓷的制備方法,其特征在于:所述隔離層的材料的環(huán)氧樹脂。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





