[發明專利]鍍防護層燒結釹鐵硼廢料再利用的方法

有效

• 申請號: 201710114697.9
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN106920613B
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 劉宇暉;樊玉川;游建輝;陳云志;王川;朱望偉;彭雁
• 申請（專利權）人: 湖南稀土新能源材料有限責任公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F41/02
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 林青中

1.一種鍍防護層燒結釹鐵硼廢料再利用的方法，其特征在于，包括以下步驟：

將鍍防護層燒結釹鐵硼廢料表面的防護層進行磨削，破碎，得到廢料顆粒；

制備釹鐵硼甩片，所述釹鐵硼甩片的元素組成與所述廢料顆粒的元素組成相同，所述廢料顆粒的元素組成包括Pr、Nd、B和Fe，所述釹鐵硼甩片中Pr和Nd的質量百分含量之和與所述廢料顆粒中Pr和Nd的質量百分含量之和的比值為1.02～1.1:1，所述釹鐵硼甩片中B的質量百分含量與所述廢料顆粒中B的質量百分含量的比值為0.98～1.03:1，所述釹鐵硼甩片中余量為Fe；

將所述廢料顆粒與所述釹鐵硼甩片混合，氫碎，得到氫碎料；其中所述氫碎料中所述廢料顆粒的質量含量為5％～50％；

將所述氫碎料與第一抗氧化劑混合，于保護性氛圍下制粉，得到混合細粉；

將所述混合細粉與助劑混合，得到待壓制粉體，所述助劑包括第二抗氧化劑、潤滑劑和溶劑；

將所述待壓制粉體置于壓制模具壓制，得到生坯；

將所述生坯進行等靜壓成型，再進行真空燒結處理，得到燒結釹鐵硼磁體。

2.如權利要求1所述的鍍防護層燒結釹鐵硼廢料再利用的方法，其特征在于，所述廢料顆粒的元素組成還包括Dy、Al、Nb、Cu和Ga，所述釹鐵硼甩片中Dy的質量百分含量與所述廢料顆粒中Dy的質量百分含量的比值為0.95～1.1:1，所述釹鐵硼甩片中Al的質量百分含量與所述廢料顆粒中Al的質量百分含量的比值為0.95～1.2:1，所述釹鐵硼甩片中Nb的質量百分含量與所述廢料顆粒中Nb的質量百分含量的比值為0.8～1.1:1，所述釹鐵硼甩片中Cu的質量百分含量與所述廢料顆粒中Cu的質量百分含量的比值為0.9～1.1:1，所述釹鐵硼甩片中Ga的質量百分含量與所述廢料顆粒中Ga的質量百分含量的比值為1.1～1.2:1。

3.如權利要求2所述的鍍防護層燒結釹鐵硼廢料再利用的方法，其特征在于，所述廢料顆粒的元素組成還包括Co，所述釹鐵硼甩片中Co的質量百分含量與所述廢料顆粒中Co的質量百分含量的比值為0.9～1.1:1。

4.如權利要求3所述的鍍防護層燒結釹鐵硼廢料再利用的方法，其特征在于，所述廢料顆粒的元素組成還包括Tb，所述釹鐵硼甩片中Tb的質量百分含量與所述廢料顆粒中Tb的質量百分含量的比值為1.1～1.3:1。

5.如權利要求1所述的鍍防護層燒結釹鐵硼廢料再利用的方法，其特征在于，制備釹鐵硼甩片的步驟為：根據所述釹鐵硼甩片的元素組成配制原料，其中所述Pr和Nd由PrNd合金提供，所述B由硼鐵合金提供，所述Fe由單質鐵和含鐵合金原料提供，將各原料于1360～1560℃真空熔煉，快淬冷卻甩出，得到所述釹鐵硼甩片。

6.如權利要求1所述的鍍防護層燒結釹鐵硼廢料再利用的方法，其特征在于，所述氫碎步驟控制所述釹鐵硼甩片的吸氫量為飽和吸氫量的75％～90％；所述氫碎步驟控制脫氫的條件為530～580℃脫氫4～6h。

7.如權利要求1所述的鍍防護層燒結釹鐵硼廢料再利用的方法，其特征在于，所述將氫碎料與第一抗氧化劑混合，于保護性氛圍下制粉，得到混合細粉的步驟具體為：

將所述氫碎料與第一抗氧化劑混合，采用氣流磨于保護性氛圍下制粉至所述混合細粉的D99與D10的粒徑比為3～5:1，所述混合細粉的平均粒徑為2～4.5μm。

8.如權利要求1所述的鍍防護層燒結釹鐵硼廢料再利用的方法，其特征在于，所述第一抗氧化劑和所述第二抗氧化劑均為聚環氧乙烷烯丙基醚和聚環氧乙烷烯丙基縮水甘油醚中的至少一種，所述潤滑劑為硬脂酸鋅，所述溶劑為汽油；其中所述第一抗氧化劑與所述氫碎料的質量比為0.05％～0.3％；所述助劑與所述混合細粉的質量比為0.1％～1％。