[發明專利]一種低壓ZnO壓敏電阻陶瓷及其制備方法在審
| 申請號: | 201710114199.4 | 申請日: | 2017-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN106747407A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發明(設計)人: | 宋曉超;張天宇;何東;張天舒 | 申請(專利權)人: | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/453 | 分類號: | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司: | 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙)11411 | 代理人: | 張清彥 |
| 地址: | 230012 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 低壓 zno 壓敏電阻 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種低壓ZnO壓敏電阻陶瓷,其特征在于是由下述重量份的原料制成:ZnO 80~90份、Bi2O3 1~10份、MnO2 0.6~1.2份、BaCO3 0.1~0.8份、Sb2O3 0.7~1.1份、Co2O3 0.8~1.2份、SiO2 0.9~1.5份、Cr2O3 0.8~1.2份。
2.根據權利要求1所述的一種低壓ZnO壓敏電阻陶瓷,其特征在于是由下述重量份的原料制成:ZnO 83~97份、Bi2O3 4~6份、MnO2 0.8~1.0份、BaCO3 0.3~0.6份、Sb2O3 0.8~1.0份、Co2O3 0.9~1.1份、SiO2 1.1~1.3份、Cr2O3 0.9~1.1份。
3.根據權利要求1所述的一種低壓ZnO壓敏電阻陶瓷,其特征在于是由下述重量份的原料制成:ZnO 90份、Bi2O3 5份、MnO2 0.9份、BaCO3 0.5份、Sb2O3 0.9份、Co2O3 1.0份、SiO21.2份、Cr2O3 1.0份。
4.一種權利要求1所述低壓ZnO壓敏電阻陶瓷的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)籽晶的制備:取BaCO3和原料配方中總量的20~50%的ZnO混合,置于加有去離子水或酒精的球磨罐中,球磨后烘干,造粒壓片后于1400℃下燒結10h,在開水中煮6~8小時,洗滌后,用方孔篩分離出200~500目的籽晶待用;
(2)將Bi2O3、MnO2、BaCO3、Sb2O3、Co2O3、SiO2、Cr2O3、籽晶和剩余的ZnO倒入攪拌球磨機,并加入重量為所述添加劑總重量的75~80%的純水,球磨至粒徑至0.5~1.0μm,然后將所得混合溶液加熱至85~100℃,持續保溫和攪拌使溶劑蒸發至黏稠糊狀物,將糊狀物利用噴霧干燥技術噴射在合金襯底材料,在500~600℃煅燒6~10h,脫模后得到壓敏電阻陶瓷。
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