[發明專利]聲波設備及其晶圓級封裝方法

在審

• 申請號: 201710113319.9
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN106921357A
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 陳高鵬;劉海玲
• 申請（專利權）人: 宜確半導體（蘇州）有限公司;華天科技（昆山）電子有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/10;H03H9/54;H03H9/70;H03H9/72;H01L23/055;H01L25/16
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 劉劍波

1.一種聲波設備，其特征在于，包括基底、屏蔽環和聲波器件，其中：

所述屏蔽環設置在所述基底和所述聲波器件之間，以便由所述基底、屏蔽環和聲波器件構成密閉腔室；

在所述密閉腔室中，所述聲波器件的管腳焊盤與所述基底上對應的焊盤連接，以便引出所述聲波器件的管腳。

2.根據權利要求1所述的聲波設備，其特征在于，

所述屏蔽環為金屬材料或塑性材料。

3.根據權利要求2所述的聲波設備，其特征在于，

所述金屬材料為金、銀、銅、鐵、鎳、鈀或錫。

4.根據權利要求1所述的聲波設備，其特征在于，

所述屏蔽環通過焊接或膠粘方式與所述基底和所述聲波器件連接。

5.根據權利要求1所述的聲波設備，其特征在于，

所述聲波器件的管腳焊盤為鋁凸柱，銅凸柱或錫球。

6.根據權利要求1所述的聲波設備，其特征在于，

所述聲波器件包括聲表面波SAW濾波器、體聲波BAW濾波器或薄膜體聲波FBAR濾波器，或者包括聲表面波SAW雙工器、體聲波BAW雙工器或薄膜體聲波FBAR雙工器，或者包括采用SAW、BAW或FBAR技術制造的器件。

7.根據權利要求1所述的聲波設備，其特征在于，

所述基底包括設置在所述基底頂部的上焊盤以及設置在所述基底底部的下焊盤，其中所述基底頂部的上焊盤與對應聲波器件的管腳焊盤連接，所述基底頂部的上焊盤與所述基底底部對應的下焊盤連接。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的聲波設備，其特征在于，

所述聲波設備中包括多個一一對應的聲波器件和屏蔽環。

9.根據權利要求8所述的聲波設備，其特征在于，還包括與所述聲波器件異質的第一電子器件，其中：

所述第一電子器件的管腳焊盤與所述基底上對應的焊盤連接，以便引出所述第一電子器件的管腳。

10.根據權利要求9所述的聲波設備，其特征在于，

所述第一電子器件包括基于GaAs HBT工藝、GaAs pHEMT工藝或GaN工藝的射頻功率放大器，基于GaAs pHEMT工藝的低噪聲放大器，基于GaAs pHEMT工藝的開關，基于IPD工藝的濾波器中的至少一個。

11.根據權利要求9所述的聲波設備，其特征在于，

在所述基底底部，與所述第一電子器件的管腳焊盤相對應的第一下焊盤同與所述聲波器件的管腳焊盤相對應的第二下焊盤連接。

12.根據權利要求11所述的聲波設備，其特征在于，

所述第一下焊盤通過重布線層RDL與所述第二下焊盤連接。

13.根據權利要求11所述的聲波設備，其特征在于，還包括與所述聲波器件異質的第二電子器件，其中：

所述第二電子器件包括第一連接焊盤和第二連接焊盤，所述第一連接焊盤與所述第一下焊盤連接，所述第二連接焊盤與所述第二下焊盤連接。

14.根據權利要求13所述的聲波設備，其特征在于，

所述第二電子器件包括射頻功率放大器的驅動級電路、開關電路、電源跟蹤和包絡跟蹤電路、直流-直流轉換電路、模數轉換電路、數模轉換電路中的至少一個。

15.一種聲波設備的晶圓級封裝方法，其特征在于，包括：

在基底上設置屏蔽環；

在所述屏蔽環上設置聲波器件，以便由所述基底、屏蔽環和聲波器件構成密閉腔室；

在所述密閉腔室中，將所述聲波器件的管腳焊盤與所述基底上對應的焊盤連接，以便引出所述聲波器件的管腳。

16.根據權利要求15所述的封裝方法，其特征在于，

將所述聲波器件的管腳焊盤與所述基底上對應的焊盤連接包括：

在所述聲波器件的管腳焊盤下方的基底中制作通孔；

在所述基底的上表面形成與所述聲波器件的管腳焊盤連接的上焊盤；

所述上焊盤沿所述通孔延伸到所述基底的下表面以形成下焊盤。