[發明專利]傳感器裝置和半導體裝置

有效

• 申請號: 201710113081.X
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN107144716B
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 大原智光;相京靖明;櫻田智之
• 申請（專利權）人: 三美電機株式會社
• 主分類號: G01R15/18
• 分類號: G01R15/18
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 曾賢偉;郝慶芬

1.一種傳感器裝置，其特征在于，具備：

電流配線部；

半導體裝置，其具有單個電感器、單個低噪聲放大器以及外部連接端子，其中單個電感器和單個低噪聲放大器內置在半導體裝置的半導體芯片中，外部連接端子包括單個非反向輸入端子、單個反向輸入端子以及單個輸出端子，所述電感器對產生于所述電流配線部周圍的磁場進行檢測，所述低噪聲放大器包括對產生于所述電感器的電壓進行放大的雙極晶體管，非反向輸入端子通過所述電感器連接到所述低噪聲放大器的非反向輸入部，反向輸入端子直接連接到所述低噪聲放大器的反向輸入部，輸出端子連接到所述低噪聲放大器的輸出部，其中，單個低噪聲放大器具有：恒流源、構成差分對的一對PNP型雙極晶體管以及構成電流鏡的一對NPN型雙極晶體管，所述恒流源連接至所述一對PNP型雙極晶體管的發射極，所述一對PNP型雙極晶體管的集電極與所述一對NPN型的雙極晶體管連接；以及

基板，其配置有所述半導體裝置，該半導體裝置離所述電流配線部預定距離以上，

若面對著所述基板的表面觀察，則所述電流配線部不與所述半導體裝置重疊。

2.根據權利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于，

該傳感器裝置具有多個所述半導體裝置，

所述半導體裝置分別離所述電流配線部所述預定距離以上而配置于所述基板上，

若面對著所述基板的表面觀察，則所述電流配線部在一方的所述半導體裝置和另一方的所述半導體裝置之間非接觸地延伸。

3.一種傳感器裝置，其特征在于，具備：

電流配線部；

半導體裝置，其具有單個電感器、單個低噪聲放大器以及外部連接端子，其中單個電感器和單個低噪聲放大器內置在半導體裝置的半導體芯片中，外部連接端子包括單個非反向輸入端子、單個反向輸入端子以及單個輸出端子，所述電感器對產生于所述電流配線部周圍的磁場進行檢測，所述低噪聲放大器包括對產生于所述電感器的電壓進行放大的雙極晶體管，非反向輸入端子通過所述電感器連接到所述低噪聲放大器的非反向輸入部，反向輸入端子直接連接到所述低噪聲放大器的反向輸入部，輸出端子連接到所述低噪聲放大器的輸出部，其中，單個低噪聲放大器具有：恒流源、構成差分對的一對PNP型雙極晶體管以及構成電流鏡的一對NPN型雙極晶體管，所述恒流源連接至所述一對PNP型雙極晶體管的發射極，所述一對PNP型雙極晶體管的集電極與所述一對NPN型的雙極晶體管連接；以及

基板，其配置有所述半導體裝置，該半導體裝置離所述電流配線部預定距離以上，

所述基板具有第一表面和與所述第一表面相反側的第二表面，

所述電流配線部配置于所述第一表面側，

所述半導體裝置配置于所述第二表面側。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的傳感器裝置，其特征在于，

所述半導體裝置具有：基極電流校正電路，其通過產生與所述低噪聲放大器包括的雙極晶體管的基極電流反向的校正電流，來減少流經所述電感器的電流。

5.一種半導體裝置，用于對流經電流配線部的電流所產生的磁通密度進行檢測的傳感器裝置，其特征在于，

所述半導體裝置具有對產生于所述電流配線部周圍的磁場進行檢測的單個電感器，包括對產生于所述電感器的電壓進行放大的雙極晶體管的單個低噪聲放大器，以及外部連接端子，其中單個電感器和單個低噪聲放大器內置在半導體裝置的半導體芯片中，外部連接端子包括單個非反向輸入端子、單個反向輸入端子以及單個輸出端子，非反向輸入端子通過所述電感器連接到所述低噪聲放大器的非反向輸入部，反向輸入端子直接連接到所述低噪聲放大器的反向輸入部，輸出端子連接到所述低噪聲放大器的輸出部，且所述半導體裝置配置成離所述電流配線部預定距離以上而被使用，其中，單個低噪聲放大器具有：恒流源、構成差分對的一對PNP型雙極晶體管以及構成電流鏡的一對NPN型雙極晶體管，所述恒流源連接至所述一對PNP型雙極晶體管的發射極，所述一對PNP型雙極晶體管的集電極與所述一對NPN型的雙極晶體管連接。