[發明專利]用于高功率半導體激光器的熱沉以及制備方法在審
| 申請號： | 201710112965.3 | 申請日： | 2017-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN106602401A | 公開（公告）日： | 2017-04-26 |
| 發明（設計）人： | 叢海兵;郝明明;牟中飛;陶麗麗;招瑜;李京波 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | H01S5/024 | 分類號： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 510062 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 功率 半導體激光器 以及 制備 方法 | ||
1.一種用于高功率半導體激光器的熱沉，其特征在于，包括：
金剛石基底；
制備于所述金剛石基底表面的金屬層；
在所述金屬層表面制備有用于焊接激光器芯片的焊接層。
2.如權利要求1所述的用于高功率半導體激光器的熱沉，其特征在于，所述金剛石基底為雙面研磨拋光的金剛石基底。
3.如權利要求2所述的用于高功率半導體激光器的熱沉，其特征在于，所述金剛石基底的表面粗糙度的取值范圍為0-0.5，熱導率的取值范圍為1800W/m·K-2000W/m·K，厚度范圍為0.4mm-0.6mm。
4.如權利要求3所述的用于高功率半導體激光器的熱沉，其特征在于，所述金屬層包括依次濺射的Ti金屬化層、Pt金屬化層以及Au金屬化層。
5.如權利要求4所述的用于高功率半導體激光器的熱沉，其特征在于，所述焊接層為AuSn焊接層。
6.如權利要求5所述的用于高功率半導體激光器的熱沉，其特征在于，所述焊接層的面積大于或者等于所述激光器芯片的面積。
7.一種用于高功率半導體激光器的熱沉的制備方法，其特征在于，包括：
步驟S1：利用金剛石材料制備金剛石基底；
步驟S2：在所述金剛石基底表面制備金屬層；
步驟S3：在所述金屬層表面制備用于焊接激光器芯片的焊接層。
8.如權利要求7所述的用于高功率半導體激光器的熱沉的制備方法，其特征在于，所述步驟S1之后，還包括：
將所述金剛石基底表面進行雙面研磨拋光。
9.如權利要求8所述的用于高功率半導體激光器的熱沉的制備方法，其特征在于，所述步驟S2，包括：
在所述金光石基底表面依次濺射Ti金屬化層、Pt金屬化層以及Au金屬化層。
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