[發明專利]一種發光二極管外延片及其制造方法在審
| 申請號： | 201710111813.1 | 申請日： | 2017-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN106972085A | 公開（公告）日： | 2017-07-21 |
| 發明（設計）人： | 武艷萍 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括：襯底，依次層疊設置在所述襯底上的緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，其特征在于，
所述多量子阱層包括交疊生長的多個量子阱層和多個量子壘層，所述多個量子壘層均為AlxGa1-xN層、InyAlxGaN層、或者AlxGa1-xN層和InyAlxGaN層構成的超晶格結構，所述多個量子壘層中最靠近所述P型氮化鎵層的三個量子壘層中的至少一個為P型摻雜的量子壘層，其中，0＜x＜1，0＜y＜1。
2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述多個量子壘層中最靠近所述P型氮化鎵層的三個量子壘層為所述多個量子壘層中厚度最小的三個量子壘層。
3.根據權利要求1或2所述的發光二極管外延片，其特征在于，0＜x＜0.5。
4.根據權利要求3所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述多個量子壘層中的x的取值沿著所述發光二極管外延片的生長方向逐漸降低。
5.根據權利要求4所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述多個量子壘層中最靠近所述N型氮化鎵層的量子壘層的x的取值為：0.2＜x＜0.5。
6.一種發光二極管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生成緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，所述多量子阱層包括交疊生長的多個量子阱層和多個量子壘層，所述多個量子壘層均為AlxGa1-xN層、InyAlxGaN層、或者AlxGa1-xN層和InyAlxGaN層構成的超晶格結構，所述多個量子壘層中最靠近所述P型氮化鎵層的三個量子壘層中的至少一個為P型摻雜的量子壘層，其中，0＜x＜1，0＜y＜1。
7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述多個量子壘層中最靠近所述P型氮化鎵層的三個量子壘層為所述多個量子壘層中厚度最小的三個量子壘層。
8.根據權利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，0＜x＜0.5。
9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述多個量子壘層中的x的取值沿著所述發光二極管外延片的生長方向逐漸降低。
10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述多個量子壘層中最靠近所述N型氮化鎵層的量子壘層的x的取值為：0.2＜x＜0.5。
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