[發(fā)明專利]外延晶片的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710111700.1
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN108511333B
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 和田直之;岸弘之
• 申請（專利權(quán)）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/66
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張雨;劉林華

1.一種外延晶片的制造方法，前述外延晶片的制造方法為，分別在基座（18）的上方具有上部高溫計（22），及在基座（18）的下方具有下部高溫計（23），基于前述兩高溫計（22、23），將被載置于前述基座（18）的量產(chǎn)用襯底（13）加熱，在前述襯底上生長出外延層（13a），其特征在于，

具備霧度背景測量工序（S3）、相關線設定工序（S4）、外延層生長工序（S5）、校正需要與否評價工序（S6），

前述霧度背景測量工序（S3）為，測量外延生長前的前述量產(chǎn)用襯底（13）及樣品襯底（12）的霧度的背景，

前述相關線設定工序（S4）為，通過在不同的溫度設定的外延生長條件下進行襯底溫度和霧度的增量的相關，設定相關線，前述襯底溫度為，在向取代前述量產(chǎn)用襯底（13）而載置于基座（18）的前述樣品襯底（12）上進行外延生長時，借助前述上部高溫計（22）或前述下部高溫計（23）進行間接測量而得到的，前述霧度的增量為，從外延生長剛結(jié)束后測量的樣品用襯底（12）的霧度減去前述背景而得到的，

前述外延層生長工序（S5）為，在載置于前述基座（18）的前述量產(chǎn)用襯底（13）的上表面上，使用前述外延生長裝置，使外延層（13a）生長，

前述校正需要與否評價工序（S6）為，基于前述外延層生長工序（S5）的、外延生長時的前述量產(chǎn)用襯底（13）的溫度、和外延生長剛結(jié)束后的前述量產(chǎn)用襯底（13）的霧度的相關關系，評價是否需要校正前述上部高溫計（22）或前述下部高溫計（23），

前述校正需要與否評價工序（S6）包括襯底溫度測量工序（S6A）、襯底溫度推定工序（S6B）、第三校正工序（S6C），

前述襯底溫度測量工序（S6A）為，在向前述量產(chǎn)用襯底（13）上進行外延生長時，借助前述上部高溫計（22）或前述下部高溫計（23）間接測量襯底溫度Tx，

前述襯底溫度推定工序（S6B）為，將前述外延生長剛結(jié)束后測量的量產(chǎn)用襯底（13）的霧度代入前述相關線，推定向前述量產(chǎn)用襯底（13）上進行外延生長時的襯底溫度Ty，

前述第三校正工序（S6C）為，在從在外延生長時由前述上部高溫計（22）或前述下部高溫計（23）測量的襯底溫度Tx，減去外延生長時的被推定的襯底溫度Ty的值的絕對值即｜Tx－Ty｜的值（θ）超過既定的值的情況下，進行以下校正，使前述上部高溫計（22）或前述下部高溫計（23）的測量溫度Tx為前述推定溫度Ty的±5℃以內(nèi)，

還具備硅附著監(jiān)視工序（S7），前述硅附著監(jiān)視工序（S7）在前述外延層生長工序（S5）之后，借助前述上部高溫計（22）及前述下部高溫計（23）二者測量襯底溫度Tx，判斷借助前述上部高溫計（22）被測量的襯底溫度Txu和借助前述下部高溫計（23）被測量的襯底溫度Txl的差的絕對值即｜Txu－Txl｜是否為±5℃以內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的外延晶片的制造方法，其特征在于，

還具備在前述相關線設定工序（S4）前進行的第一校正工序（S1）及第二校正工序（S2），

在前述第一校正工序（S1）中，將前述上部高溫計（22）及前述下部高溫計（23）的一方校正為被熱電偶（26）測量的溫度的±5℃以內(nèi)，前述熱電偶（26）被安裝于取代前述基座（18）而預先設置的溫度校正用基座（17），

在前述第二校正工序（S2）中，將前述上部高溫計（22）及前述下部高溫計（23）的另一方的測量值校正為，前述上部高溫計（22）及前述下部高溫計（23）的一方的被校正的值的±5℃以內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的外延晶片的制造方法，其特征在于，

在前述相關線設定工序（S4）中，借助前述下部高溫計（23），間接測量外延生長時的前述樣品襯底（12）的溫度，

在前述襯底溫度測量工序（S6A）中，借助前述下部高溫計（23），間接測量襯底溫度Tx。

4.如權(quán)利要求1或2所述的外延晶片的制造方法，其特征在于，

利用激光表面檢測裝置，分別測量外延生長剛結(jié)束后的樣品用襯底（12）的霧度和外延生長剛結(jié)束后的量產(chǎn)用襯底（13）的霧度。

5.如權(quán)利要求1或2所述的外延晶片的制造方法，其特征在于，

在前述第三校正工序（S6C）中，在從在外延生長時借助前述上部高溫計（22）或前述下部高溫計（23）測量的襯底溫度Tx，減去外延生長時的被推定的襯底溫度Ty的值的絕對值即｜Tx－Ty｜的值（θ）超過5℃的情況下，進行以下校正，使前述上部高溫計（22）的測量溫度Tx為前述推定溫度Ty的±5℃以內(nèi)。