[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 201710111183.8 | 申請日: | 2017-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN106876330A | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發明(設計)人: | 金慧俊;張敏 | 申請(專利權)人: | 上海中航光電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司11444 | 代理人: | 王剛,龔敏 |
| 地址: | 201108 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
【技術領域】
本發明涉及觸控技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術】
隨著觸控技術領域的發展,具有觸控功能的顯示面板已經越來越成為主流顯示產品。現有的顯示面板和觸控面板的集成方式一般分為in-cell(內嵌式)和on-cell(盒外式)兩種方式,in-cell觸摸屏相較于on-cell觸摸屏來說更為輕薄。目前,現有技術的in-cell觸摸屏的陣列基板至少包括柵極金屬層、半導體層、源漏極金屬層、第一氮化硅層、像素電極、觸控金屬層、第二氮化硅層和公共電極。
發明人發現現有技術中至少存在如下問題:
現有技術中陣列基板的制備過程中,在形成上述柵極金屬層、半導體層、源漏極金屬層、第一絕緣層、像素電極、觸控金屬層、第二絕緣層和公共電極時,每層均需要使用單獨的掩膜版通過相應的構圖工藝來制作,工藝流程較為復雜,需要使用數量較多的掩膜版,生產成本高。
【發明內容】
有鑒于此,本發明實施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置,能夠減少掩膜版的使用數量,簡化陣列基板的制作過程。
一方面,本發明實施例提供了一種陣列基板,包括:
襯底基板;
位于所述襯底基板上的第一金屬層,所述第一金屬層包括柵極和柵線;
位于所述第一金屬層上的有源層;
位于所述柵極和柵線所在膜層上的像素電極;
位于所述有源層和所述像素電極上的第二金屬層,所述第二金屬層包括漏極、源極和數據線,其中,所述漏極與所述像素電極電性連接;
位于所述第二金屬層上的公共電極層,所述公共電極層包括多個以陣列方式設置的公共電極塊,所述公共電極塊復用為觸控電極;所述陣列基板還包括:
觸控走線,位于所述第二金屬層;所述觸控走線與所述漏極、源極、數據線和像素電極電性絕緣,且通過過孔與所述公共電極層的公共電極塊電性連接。
具體地,所述陣列基板還包括:
第一絕緣層,位于所述第一金屬層和所述有源層之間。
具體地,所述陣列基板還包括:
第二絕緣層,位于所述公共電極層和所述第二金屬層之間;所述第二絕緣層上設有過孔。
具體地,所述漏極與所述像素電極直接電性連接。
具體地,所述觸控走線與所述數據線相鄰設置,且所述觸控走線與所述數據線平行。
另一方面,本發明實施例提供了一種顯示面板,包括:上述的陣列基板。
另一方面,本發明實施例提供了一種顯示裝置,包括:上述的顯示面板。
另一方面,本發明實施例提供了一種陣列基板的制作方法,包括:
在襯底基板形成第一金屬層,所述第一金屬層包括柵極和柵線;
在所述第一金屬層上形成有源層;
在所述柵極和柵線所在膜層上形成像素電極;,
在所述有源層和所述像素電極上形成第二金屬層和觸控走線,其中,所述第二金屬層以及包括所述漏極、源極和數據線所在的第二金屬層,其中,所述漏極與所述像素電極電性連接;
形成覆蓋第二金屬層的第二絕緣層,在所述第二絕緣層上形成過孔;在所述第二金屬層上形成公共電極層,其中,所述公共電極層包括多個以陣列方式設置的公共電極塊,所述公共電極塊復用為觸控電極,所述公共電極塊通過所述過孔與所述觸控走線電性連接。
具體地,所述方法還包括:
在所述第一金屬層和所述有源層之間形成第一絕緣層。
具體地,所述方法還包括:
在所述公共電極層和所述第二金屬層之間形成第二絕緣層,并在所述第二絕緣層上形成過孔。
具體地,所述漏極與所述像素電極直接電性連接。
具體地,所述觸控走線與所述數據線相鄰設置,且所述觸控走線與所述數據線平行。
上述技術方案中的一個技術方案具有如下有益效果:
本發明實施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置,通過將漏極、源極、數據線和觸控走線同層設置,避免單獨設置觸控走線所在膜層,故無需使用單獨的掩膜版并通過相應的構圖工藝來制作觸控走線層,能夠簡化陣列基板的制作過程,降低工藝流程復雜程度,減少掩膜版使用數量,生產成本低。
【附圖說明】
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





