[發明專利]一種高穩定度低功耗片上OSC電路

在審

• 申請號: 201710110975.3
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN106877863A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 張文杰;楊鳳;謝亮;金湘亮
• 申請（專利權）人: 江蘇芯力特電子科技有限公司
• 主分類號: H03L7/24
• 分類號: H03L7/24
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司32224
• 代理人: 董建林

1.一種高穩定度低功耗片上OSC電路，其特征在于，包括充放電電路和控制電路；

所述充放電電路，由電流源對電容進行充放電，開關管控制電容的充放電；

所述控制電路，將所述充放電電路輸出的電平狀態進行轉換，產生振蕩器最終的輸出信號，所述振蕩器輸出信號又控制所述充放電電路中開關管的開關；

所述充放電電路包括電流源I1、電流源I2、NMOS管M1、PMOS管M2、電容C1、電容C2；所述電流源I1的負極、所述PMOS管M2的源極和所述電容C2的下極板均連接直流電源VDD，所述電流源I1的正極與所述NMOS管M1的漏極相連接于節點D1，所述電容C1的上極板連接節點D1，所述電容C1的下極板、所述NMOS管M1的源極和所述電流源I2的正極連接地GND，所述PMOS管M2的柵極與所述NMOS管M1的柵極相連接于節點D3，所述電容C2的下極板與所述PMOS管M2的漏極相連接于節點D2，所述電流源I2的負極連接節點D2；

所述控制電路的輸入端連接節點D1、節點D2，所述控制電路的輸出端連接節點D3。

2.根據權利要求1所述的一種高穩定度低功耗片上OSC電路，其特征在于，所述控制電路包括反相器INV1、反相器INV2、反相器INV3、反相器INV4、二輸入或非門NOR1以及RS觸發器；所述反相器INV1的輸入端連接所述充放電電路中的節點D1，所述反相器INV1的輸出端連接所述RS觸發器的S端，所述反相器INV2的輸入端連接節點D2，所述反相器INV2的輸出端連接所述反相器INV3的輸入端，所述反相器INV3的輸出端連接所述RS觸發器的R端，所述RS觸發器的輸出端Q連接所述二輸入或非門NOR1的其中一個輸入端，所述二輸入或非門NOR1的另一個輸入端連接外部信號IN1，所述二輸入或非門NOR1的輸出端OSC連接所述反相器INV4的輸入端，所述反相器INV4的輸出端連接節點D3。

3.根據權利要求1所述的一種高穩定度低功耗片上OSC電路，其特征在于，所述電流源I1包括PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7和NMOS管M8，所述PMOS管M3的源極、所述PMOS管M4的源極均連接直流電源VDD，所述PMOS管M3的漏極連接所述PMOS管M5的源極，所述PMOS管M3的柵極連接所述PMOS管M4的柵極，所述PMOS管M3的柵極連接所述PMOS管M3的漏極，所述PMOS管M4的漏極連接所述PMOS管M6的源極，所述PMOS管M5的柵極連接所述PMOS管M5的漏極，所述PMOS管M5的漏極連接所述NMOS管M7的漏極，所述PMOS管M5的柵極連接所述PMOS管M6的柵極，所述PMOS管M6的漏極與所述電容C1的上極板連接于節點D1，所述NMOS管M1的漏極連接所述節點D1,所述NMOS管M7的源極與所述NMOS管M8的漏極連接，所述NMOS管M8的源極連接到地GND。

4.根據權利要求3所述的一種高穩定度低功耗片上OSC電路，其特征在于，所述電流源I2包括NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11和NMOS管M12，所述NMOS管M9的漏極與所述電容C2的上極板連接于節點D2，所述NMOS管M10的柵極連接所述NMOS管M10的漏極，所述NMOS管M10的漏極連接所述NMOS管M7的柵極，所述NMOS管M10的柵極連接所述NMOS管M9的柵極，所述NMOS管M9的源極與所述NMOS管M11的漏極連接，所述NMOS管M12的柵極連接所述NMOS管M12的漏極，所述NMOS管M12的漏極連接所述NMOS管M10的源極，所述NMOS管M12的柵極連接所述NMOS管M11的柵極，所述NMOS管M12的柵極連接所述NMOS管M8的柵極，所述NMOS管M11的源極、所述NMOS管M12的源極均連接到地GND。

5.根據權利要求1所述的一種高穩定度低功耗片上OSC電路，其特征在于，包括NMOS管M13，所述NMOS管M13的柵極連接直流電源VDD，所述NMOS管M13的源極和所述NMOS管M13的漏極均連接到地GND。

6.根據權利要求4所述的一種高穩定度低功耗片上OSC電路，其特征在于，電流源I1、電流源I2均采用共源共柵電流鏡方式鏡像電流。