[發明專利]一種低關斷損耗槽柵SOI?LIGBT器件結構

在審

• 申請號: 201710110370.4
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN106847885A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 喬明;李路;曹厚華;何逸濤;楊文;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 敖歡,葛啟函

1.一種低關斷損耗槽柵SOI-LIGBT器件結構，其特征在于：包括從下至上依次設置的P型襯底(9)、埋氧層二氧化硅(8)、N型漂移區(3)，N型漂移區(3)內部一端設有P型阱區(4)、另一端設有N-buffer層(2)，器件表面設有氧化層(10)，所述P型阱區(4)內部上方設有N型源端(5)以及與N型源端(5)相鄰的P型接觸區(6)；所述N-buffer層(2)內部上方設有N型陽極區(1)；所述N型源端(5)、P型接觸區(6)以及N型陽極區(1)上方設有金屬層；所述源端(5)和P型阱區(4)間的溝道右側是柵氧層，柵氧層右邊是多晶硅(7)，所述多晶硅(7)位于P型阱區(4)右側、N-buffer層(2)的左側。

2.根據權利要求1所述的一種低關斷損耗槽柵SOI-LIGBT器件結構，其特征在于：P型阱區(4)和N-buffer層(2)之間的N型漂移區(3)內部設有二氧化硅槽介質(11)；二氧化硅槽介質(11)位于多晶硅(7)右側。

3.根據權利要求2所述的一種低關斷損耗槽柵SOI-LIGBT器件結構，其特征在于：二氧化硅槽介質(11)的長度為W_t，其最小值為1μm。

4.根據權利要求2所述的一種低關斷損耗槽柵SOI-LIGBT器件結構，其特征在于：二氧化硅槽介質(11)右側與N-buffer層(2)左側相接。

5.根據權利要求2所述的一種低關斷損耗槽柵SOI-LIGBT器件結構，其特征在于：二氧化硅槽介質(11)的深度為D_t，其值大于多晶硅(7)的深度L_g，且滿足硅層厚度也即N型漂移區(3)的厚度t_s>D_t≥Lg+1um。

6.根據權利要求1所述的一種低關斷損耗槽柵SOI-LIGBT器件結構，其特征在于：在P型阱區(4)下方設有N型載流子儲存層(12)。