[發明專利]低關斷損耗的SOI?LIGBT器件結構

在審

• 申請號: 201710110296.6
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN106847884A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 喬明;李路;曾莉堯;何逸濤;楊文;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 敖歡,葛啟函

1.一種低關斷損耗的SOI-LIGBT器件結構，包括從下至上依次設置的P型襯底(9)、埋氧層二氧化硅(8)、N型漂移區(3)、設置于N型漂移區(3)內部一端的P型阱區(4)、設置于N型漂移區(3)內部另一端的N-buffer層(2)、N型漂移區(3)上方的氧化層(10)；所述P型阱區(4)內部上方設有N型源端(5)以及與N型源端(5)相鄰的P型接觸區(6)；所述N-buffer層(2)內部上方設有N型陽極區(1)；所述N型源端(5)、P型接觸區(6)以及N型陽極區(1)上方分別設有金屬層；所述N型源端(5)和P型阱區(4)間的溝道上方是柵氧層，柵氧層上方是多晶硅(7)；其特征在于：在N型漂移區(3)的內部設有N型埋層(11)、和/或P型埋層(21)，所述P型埋層(21)位于N型埋層(11)下方，且所述N型埋層(11)、P型埋層(21)均沒有與P型阱區(4)和N-buffer區(2)直接連接。

2.根據權利要求1所述的一種低關斷損耗的SOI-LIGBT器件結構，其特征在于：在N型漂移區(3)的內部設有至少2個N型埋層(11)、至少2個P型埋層(21)，N型埋層(11)和P型埋層(21)交替設置。

3.根據權利要求1所述的一種低關斷損耗的SOI-LIGBT器件結構，其特征在于：P型埋層(21)與P型阱區(4)的距離為d，d取值為0.4μm，距離d和P型埋層(21)的長度L_PB之和小于漂移區長度L_d。

4.根據權利要求1所述的一種低關斷損耗的SOI-LIGBT器件結構，其特征在于：相鄰的N型埋層(11)和P型埋層(21)上下相接，每個N型埋層(11)和P型埋層(21)左端到P型阱區(4)的距離相等，每個N型埋層(11)和P型埋層(21)右端到N-buffer層(2)的距離相等。

5.根據權利要求1所述的一種低關斷損耗的SOI-LIGBT器件結構，其特征在于：N型埋層(11)和P型埋層(21)同時換成相反類型材料。

6.根據權利要求1所述的一種低關斷損耗的SOI-LIGBT器件結構，其特征在于：只設有一個N型埋層(11)和一個P型埋層(21)。

7.根據權利要求1所述的一種低關斷損耗的SOI-LIGBT器件結構，其特征在于：P型埋層(21)為分段的埋層。