[發明專利]用于對存儲器設備進行自動校正寫入的方法及相應設備

有效

• 申請號: 201710109580.1
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN107731255B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: F·蒂薩菲德里西
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: G11C11/419
• 分類號: G11C11/419
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張昊

1.一種用于對多端口靜態隨機存取存儲器設備(MEM)進行自動校正寫入的方法，所述多端口靜態隨機存取存儲器設備包括至少一個多端口靜態隨機存取存儲器單元電路(CCM)，所述方法包括以下步驟：

使用驅動器電路而不應用寫入輔助電壓，向所述電路(CCM)寫入第一數據(D1)；

在寫入之后讀取存儲在所述電路(CCM)中的第二數據(D2)；

將所述第一與第二數據(D1，D2)進行對比；

取決于所述對比的結果，使用所述驅動器電路連同應用所述寫入輔助電壓來向所述電路(CCM)選擇性地重寫所述第一數據(D1)；以及

其中應用所述寫入輔助電壓包括在所述重寫期間將所述寫入輔助電壓應用到所述驅動器電路的電源節點。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一數據的所述寫入和所述第二數據的所述讀取是在同一寫入時鐘周期中執行的。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，如果所述第一與第二數據(D1，D2)完全相同，則不執行通過應用所述寫入輔助電壓進行重寫的所述步驟，所述寫入輔助電壓用于輔助對所述電路(CCM)進行寫入。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，如果所述第一與第二數據(D1，D2)不同，則通過應用所述寫入輔助電壓執行對所述電路(CCM)進行重寫的所述步驟。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述寫入輔助電壓包括施加負電壓。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述存儲器設備(MEM)包括被安排成多行和多列的多個單元(CCMij)的矩陣平面(PM)，所述列平行于寫入位線(BLWRj，BLWRBj)，并且所述寫入輔助電壓被應用于耦接至同一列的所有單元電路(CCM0j至CCMij)的所述位線(BLWRj，BLWRBj)。

7.一種多端口靜態隨機存取存儲器設備(MEM)，包括至少一個多端口靜態隨機存取存儲器單元電路(CCM)，所述多端口靜態隨機存取存儲器設備包括：

寫入裝置，所述寫入裝置被配置成用于通過致動驅動器電路不應用寫入輔助電壓來向所述電路(CCM)寫入第一數據(D1)；

讀取裝置，所述讀取裝置被配置成用于在寫入所述第一數據(D1)之后讀取存儲在所述電路(CCM)中的第二數據(D2)；

對比裝置(MC)，所述對比裝置被配置成用于將所述第一與第二數據(D1，D2)進行對比；

處理裝置，所述處理裝置被配置成用于取決于所述對比的結果而通過致動所述驅動器電路連同應用所述寫入輔助電壓來選擇性地使所述寫入裝置將所述第一數據重寫到所述電路(CCM)；以及

寫入輔助裝置，所述寫入輔助裝置被配置成：在所述第一數據(D1)的所述重寫期間，通過將寫入輔助電壓應用至所述驅動器電路的電源節點來應用所述寫入輔助電壓。

8.根據權利要求7所述的設備(MEM)，其中，所述寫入裝置和所述讀取裝置另外被配置成用于在同一寫入時鐘周期中分別寫入所述第一數據(D1)和讀取所述第二數據(D2)。

9.根據權利要求7或8所述的設備(MEM)，其中，如果所述第一與第二數據(D1，D2)完全相同，則所述處理裝置(MT)被配置成用于不應用所述寫入輔助電壓。

10.根據權利要求7或8所述的設備(MEM)，其中，如果所述第一與第二數據(D1，D2)不同，則所述處理裝置(MT)被配置成用于應用所述寫入輔助電壓，并且所述寫入裝置被配置成用于通過應用所述寫入輔助電壓來重寫所述第一數據(D1)。

11.根據權利要求7或8中任一項所述的設備(MEM)，其中，所述寫入輔助電壓被配置成用于施加負電壓。