[發明專利]一種SOI?LIGBT器件

在審

• 申請號: 201710108573.X
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN106847882A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 喬明;詹珍雅;章文通;何逸濤;肖倩倩;王正康;余洋;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 敖歡,葛啟函

1.一種SOI-LIGBT器件，其特征在于其元胞結構包括：襯底(1)、設置在襯底(1)上表面的埋氧層(2)、埋氧層(2)上方的厚介質層(3)、厚介質層(3)左側的厚硅層N型漂移區(4)、厚硅層N型漂移區(4)內部左端的P阱區(12)、所述P阱區(12)內部設置的相互獨立的P型重摻雜發射極區(11)和N型重摻雜區(42)；分別與厚介質層(3)下表面和埋氧層(2)上表面相切的超薄頂層硅N型漂移區(43)、沿縱向方向貫穿設置在厚介質層(3)右端的N型buffer區(41)、N型buffer區(41)內部的P型重摻雜集電極區(13)、P阱區(12)上表面的發射極接觸電極(5)、設置在P型重摻雜發射極區(13)上表面的集電極接觸電極(6)、設置于P阱區(12)上表面的柵氧化層(8)、設置于柵氧化層(8)上表面的多晶硅柵(7)；所述埋氧層(2)與厚硅層N型漂移區(4)、超薄頂層硅N型漂移區(43)以及N型buffer區(41)的下表面相連接；所述厚介質層(3)設置在靠近N型buffer區(41)的一端，其下表面與超薄頂層硅N型漂移區(43)的上表面相接觸，所述P型重摻雜發射極區(11)和N型重摻雜區(42)的上表面與設置在P阱區(12)上表面的發射極接觸電極(5)連接，柵氧化層(8)的左邊界與N型重摻雜區(42)的右端部分重疊，柵氧化層(8)的右邊界延伸到P阱區(12)的右端。

2.根據權利要求1所述的一種SOI-LIGBT器件，其特征在于：還包括P條(14)、N條(44)，所述N條(44)與P條(14)在Z方向交替設置于P阱區(12)和厚介質層(3)之間的厚硅層漂移區(4)中。

3.根據權利要求1所述的一種SOI-LIGBT器件，其特征在于：所述襯底(1)為P型硅或為N型硅，SOI層為P型或為N型。

4.根據權利要求1所述的一種SOI-LIGBT器件，其特征在于：所述超薄頂層硅N型漂移區(43)和厚硅層N型漂移區(4)通過分段式線性變摻雜或均勻摻雜或階梯摻雜的摻雜方式形成。

5.根據權利要求1所述的一種SOI-LIGBT器件，其特征在于：厚介質層(3)的右端與N型buffer區(41)相切。

6.根據權利要求2所述的一種SOI-LIGBT器件，其特征在于：厚硅層N型漂移區(4)中交替設置的N條(44)與P條(14)不與埋氧層(2)的上表面相接觸。

7.根據權利要求2所述的一種SOI-LIGBT器件，其特征在于：厚硅層N型漂移區(4)中交替設置的N條(44)與P條(14)與埋氧層(2)的上表面相接觸。

8.根據權利要求2所述的一種SOI-LIGBT器件，其特征在于：厚硅層N型漂移區(4)中交替設置的N條(44)與P條(14)位于器件體內。

9.根據權利要求2所述的一種SOI-LIGBT器件，其特征在于：P條(14)的寬度大于N條(44)的寬度。

10.根據權利要求1所述的一種SOI-LIGBT器件，其特征在于：所述元胞結構中，發射極接觸電極(5)和集電極接觸電極(6)的上端分別通過第一通孔(9)、第二通孔(91)，引入第二層金屬分別作為源極場板(51)、漏極場板(61)。