[發(fā)明專利]一種熱分解制備二氧化硅鈍化層的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710107405.9 | 申請(qǐng)日： | 2017-02-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106653953B | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫鐵囤;湯平;姚偉忠 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/18 | 分類號(hào)： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 王美華;任曉嵐 |
| 地址： | 213002 江蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 二氧化硅鈍化層 二氧化硅 硅片表面 偏硅酸 熱分解 硅片 蟲膠 制備 稀釋劑 惰性氣體環(huán)境 新能源領(lǐng)域 粘稠狀膠液 分解 受熱 鈍化層 結(jié)合力 烘干 鈍化 基底 涂刷 相容 擴(kuò)散 | ||
1.一種熱分解制備二氧化硅鈍化層的方法，其特征在于：所述的制備方法為，
(1)將偏硅酸、蟲膠、稀釋劑混合后充分?jǐn)嚢?，得到粘稠狀膠液；
(2)將步驟(1)得到的粘稠狀膠液均勻涂刷在擴(kuò)散后的硅片表面并烘干，再將該硅片于高溫的惰性氣體環(huán)境中放置一段時(shí)間后，自然冷卻，
所述的高溫的惰性氣體環(huán)境中，溫度為300～400℃，
硅片于高溫的惰性氣體環(huán)境中的放置時(shí)間為15～25分鐘。
2.如權(quán)利要求1所述的熱分解制備二氧化硅鈍化層的方法，其特征在于：步驟(1)中，偏硅酸、蟲膠、稀釋劑的質(zhì)量比為1：5～10：4～6。
3.如權(quán)利要求1所述的熱分解制備二氧化硅鈍化層的方法，其特征在于：步驟(1)中所述的稀釋劑為乙醇。
4.如權(quán)利要求1所述的熱分解制備二氧化硅鈍化層的方法，其特征在于：步驟(2)中，烘干溫度為80℃。
5.如權(quán)利要求1所述的熱分解制備二氧化硅鈍化層的方法，其特征在于：步驟(2)中所述的高溫的惰性氣體環(huán)境中，溫度為300～400℃，惰性氣體為氮?dú)狻?/p>
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
