[發明專利]半導體裝置及其制造方法、倒裝芯片型半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710107328.7
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN107134414B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 曾我恭子;淺井聰
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李英艷;張永康

1.一種半導體裝置的制造方法，所述半導體裝置具備積層多層半導體電路層而構成的三維積層結構，所述半導體裝置的制造方法的特征在于，具有以下步驟：

準備第一基板與第二基板或第二元件，所述第一基板上設置有暴露于基板的外部的導電性連接部也就是電極襯墊、或更設置有從該電極襯墊突出的由導電性材料構成的導電性插頭，所述第二基板或第二元件積層在該第一基板上，且設置有暴露于基板或元件的外部的由導電性材料構成的導電性插頭；

在前述第一基板的電極襯墊或導電性插頭、及前述第二基板或前述第二元件的導電性插頭中的至少一個上形成焊球；

利用感光性絕緣層來覆蓋前述第一基板的形成有電極襯墊的面、及前述第二基板或前述第二元件的形成有導電性插頭的面中的至少一個面；

根據使用掩模的光刻，在前述被感光性絕緣層覆蓋的基板或元件中的電極襯墊或導電性插頭上形成開口部；

通過前述形成的開口部，并經由前述焊球將前述第二基板或前述第二元件的導電性插頭壓接接合于前述第一基板的電極襯墊或導電性插頭；

根據熔融前述焊球的烘烤，將前述第一基板的電極襯墊或導電性插頭與前述第二基板或前述第二元件的導電性插頭固接并且電性連接；以及，

利用烘烤將前述感光性絕緣層固化，

利用化學放大型負型抗蝕劑組合物材料來形成前述感光性絕緣層，所述化學放大型負型抗蝕劑組合物材料含有：

(A)含硅酮骨架高分子化合物，其具有由下述通式(1)表示的重復單元，重均分子量為3000～500000；

式(1)中，R¹～R⁴表示可以相同也可以不同的碳數1～8的一價烴基；m為1～100的整數；a、b、c、d為0或正數，且a、b、c、d不同時為0；a+b+c+d＝1；而且，X為由下述通式(2)表示的有機基團，Y為由下述通式(3)表示的有機基團；

式(2)中，Z為選自

-CH₂-中的任一種二價有機基團，n為0或1；R⁵及R⁶分別為碳數1～4的烷基或烷氧基，可以相互不同也可以相同；k為0、1、2中的任一者；

式(3)中，V為選自

-CH₂-中的任一種二價有機基團，p為0或1；R⁷及R⁸分別為碳數1～4的烷基或烷氧基，可以相互不同也可以相同；h為0、1、2中的任一者；

(B)交聯劑，其選自被甲醛或甲醛-醇改性而成的氨基縮合物、及在1分子中平均具有兩個以上的羥甲基或烷氧基羥甲基的酚化合物中的一種或兩種以上；

(C)光致產酸劑，其被波長190～500nm的光分解而產生酸；

(D)含環氧基交聯劑；以及，

(E)溶劑。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，同時進行前述壓接接合步驟與前述電性連接步驟。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，在前述準備步驟中，根據將具有元件的基板分成小片、或者根據剝離預先暫時粘接在基板上的元件來準備前述第二元件。

4.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中，在前述準備步驟中，根據將具有元件的基板分成小片、或者根據剝離預先暫時粘接在基板上的元件來準備前述第二元件。

5.如權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，將前述感光性絕緣層制成包含以下樹脂的有機層，所述樹脂為選自含芳香族基硅酮類樹脂及含環氧基硅酮樹脂中的一種。

6.如權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，在利用前述感光性絕緣層來進行覆蓋的步驟中，根據在前述第一基板的形成有電極襯墊的面、及前述第二基板或前述第二元件的形成有導電性插頭的面中的至少一個面上涂布感光性材料后干燥，來形成前述感光性絕緣層。