[發(fā)明專利]配置中的除污及剝除處理腔室有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710107319.8 | 申請日： | 2013-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN106847737B | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | M·J·薩里納斯;P·B·路透;A·恩蓋耶;J·A·里 | 申請（專利權）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | H01L21/677 | 分類號： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 侯穎媖 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 配置 中的 剝除 處理 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于從基板移除含有鹵素的殘余物的方法，所述方法包括：
在耦接至工廠界面的負載鎖定腔室的第一腔室容積中從基板處理系統(tǒng)的所述工廠界面接收基板；
將所述基板從所述負載鎖定腔室的所述第一腔室容積轉移到所述基板處理系統(tǒng)的轉移室；
使用含有鹵素的氣體來在一或更多個處理室中蝕刻所述基板，所述一或更多個處理室耦接至所述基板處理系統(tǒng)的所述轉移室；
在所述負載鎖定腔室的第二腔室容積中從已蝕刻基板移除含有鹵素的殘余物；及
在移除所述含有鹵素的殘余物之后，在設置于所述負載鎖定腔室的第三腔室容積中的基板支撐組件上冷卻已蝕刻基板，其中所述第一腔室容積、所述第二腔室容積、以及所述第三腔室容積彼此流體隔離。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，冷卻所述基板包括透過所述轉移室而從所述第二腔室容積轉移所述基板到所述第三腔室容積。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
