[發明專利]一種肖特基二極管制作工藝及肖特基二極管

在審

• 申請號: 201710107047.1
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN108511531A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 程凱
• 申請（專利權）人: 蘇州晶湛半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/47;H01L29/45;H01L21/329
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 翁斌

1.一種肖特基二極管制作工藝，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

在所述襯底上依次生長第一半導體層和第二半導體層，所述第一半導體層和所述第二半導體層都為n型摻雜的GaN基半導體材料，所述第一半導體層和所述第二半導體層遠離所述襯底的一面都為Ga面；

在所述第二半導體層的Ga面上制作歐姆接觸金屬層，形成歐姆接觸；

在所述歐姆接觸金屬層上鍵合基板；

倒裝，并使所述第一半導體層的N面暴露；

在所述第一半導體層的N面上制作肖特基接觸金屬層，形成肖特基接觸。

2.根據權利要求1所述的肖特基二極管制作工藝，其特征在于：先在所述歐姆接觸金屬層上制作鍵合金屬層，然后在所述鍵合金屬層上鍵合所述基板。

3.根據權利要求1所述的肖特基二極管制作工藝，其特征在于：所述第一半導體層的摻雜濃度在10¹⁸/cm³量級以下，所述第二半導體層的摻雜濃度在10¹⁸/cm³量級以上。

4.根據權利要求1所述的肖特基二極管制作工藝，其特征在于：所述襯底為硅、碳化硅、藍寶石或氮化鎵。

5.根據權利要求1所述的肖特基二極管制作工藝，其特征在于：在所述襯底上先制作第三半導體層，再制作所述第一半導體層。

6.根據權利要求1所述的肖特基二極管制作工藝，其特征在于，使所述第一半導體層的N面暴露包括：去除所述襯底，使所述第一半導體層的N面暴露。

7.根據權利要求5所述的肖特基二極管制作工藝，其特征在于，使所述第一半導體層的N面暴露包括：去除所述襯底，然后去除所述第三半導體層，使所述第一半導體層的N面暴露。

8.根據權利要求5所述的肖特基二極管制作工藝，其特征在于，所述第三半導體層包括插入層，所述插入層設置于第三半導體層的靠近第一半導體層的一側。

9.根據權利要求8所述的肖特基二極管制作工藝，其特征在于，使所述第一半導體層的N面暴露包括：去除所述插入層，使所述第一半導體層與所述第三半導體層及所述襯底分離，使所述第一半導體層的N面暴露。

10.根據權利要求9所述的肖特基二極管制作工藝，其特征在于，所述插入層包括InGaN、AlN或Al InN。

11.根據權利要求10所述的肖特基二極管制作工藝，其特征在于，當所述插入層為InGaN時，去除所述插入層包括：通過照射波長400nm以上的光對所述插入層進行選擇性電化學腐蝕。

12.根據權利要求9所述的肖特基二極管制作工藝，其特征在于，當所述插入層為AlN時，去除所述插入層包括：通過KOH溶液對所述插入層進行側向的選擇性刻蝕。

13.一種肖特基二極管，其特征在于，至少包括：

第一半導體層，為n型摻雜的GaN基半導體材料，所述第一半導體層的N面形成肖特基接觸；

第二半導體層，為n型摻雜的GaN基半導體材料，其中所述第二半導體層遠離第一半導體層的一面為Ga面，所述第二半導體層的Ga面形成歐姆接觸，所述第二半導體層的N面與所述第一半導體層的Ga面相對。

14.根據權利要求13所述的肖特基二極管，其特征在于：所述第一半導體層的摻雜濃度在10¹⁸/cm³量級以下，所述第二半導體層的摻雜濃度在10¹⁸/cm³量級以上。