[發明專利]一種MOS管的工藝角檢測方法有效
| 申請號： | 201710106247.5 | 申請日： | 2017-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN108508340B | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發明（設計）人： | 黃正太;楊家奇;黃正乙 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26;H03K3/03 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張振軍;吳敏 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mos 工藝 檢測 方法 | ||
1.一種MOS管的工藝角檢測方法，其特征在于，包括：
提供環形振蕩器，所述環形振蕩器包括奇數個串聯成環的振蕩單元，其中一個振蕩單元的輸出端作為所述環形振蕩器的輸出端，并輸出振蕩信號，其中，每一個所述振蕩單元基于PMOS管和NMOS管構建；
測量所述振蕩信號的周期，以及所述振蕩信號在每個周期內高電平和低電平的維持時間；
根據所述振蕩信號的周期，以及所述振蕩信號在每個周期內高電平和低電平的維持時間，確定所述振蕩單元中PMOS管和NMOS管的工藝角；
所述測量所述振蕩信號的周期，以及所述振蕩信號在每個周期內高電平和低電平的維持時間包括：
在預設時間內對所述振蕩信號的上升沿或下降沿計數，以得到第一計數值；
根據所述第一計數值和所述預設時間計算得到所述振蕩信號的周期；
在所述振蕩信號的上升沿到來時，對時鐘信號的上升沿或下降沿進行計數，并在所述振蕩信號的下降沿到來時停止計數，以得到第二計數值，在所述振蕩信號的下降沿到來時，再次對所述時鐘信號的上升沿或下降沿進行計數，并在所述振蕩信號的上升沿到來時停止計數，以得到第三計數值，所述時鐘信號的周期小于所述振蕩信號的周期；
根據所述第二計數值、第三計數值和所述時鐘信號的周期計算得到所述振蕩信號在每個周期內高電平和低電平的維持時間。
2.根據權利要求1所述的MOS管的工藝角檢測方法，其特征在于，所述確定所述振蕩單元中PMOS管和NMOS管的工藝角包括：
確定所述振蕩單元中PMOS管和NMOS管的工藝角為以下工藝角中的一種：快NMOS快PMOS，標準NMOS快PMOS，快NMOS標準PMOS，慢NMOS慢PMOS，慢NMOS標準PMOS，標準NMOS慢PMOS，標準NMOS標準PMOS，慢NMOS快PMOS，快NMOS慢PMOS。
3.根據權利要求2所述的MOS管的工藝角檢測方法，其特征在于，所述根據所述振蕩信號的周期，以及所述振蕩信號在每個周期內高電平和低電平的維持時間，確定所述振蕩單元中PMOS管和NMOS管的工藝角包括：
將所述振蕩信號的周期與第一閾值和第二閾值進行比較，以得到第一比較結果，所述第二閾值小于所述第一閾值；
比較所述振蕩信號在每個周期內高電平和低電平的維持時間，以得到第二比較結果；
根據所述第一比較結果和第二比較結果，確定所述振蕩單元中PMOS管和NMOS管的工藝角。
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