[發明專利]一種單層或少層二硫化鎢納米片的制備方法在審
| 申請號： | 201710105545.2 | 申請日： | 2017-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN106745272A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 孫劍輝;駱圣達;董淑英;王倩文;禹崇菲;張方圓;楊鵬艷;張迪 | 申請（專利權）人： | 河南師范大學 |
| 主分類號： | C01G41/00 | 分類號： | C01G41/00 |
| 代理公司： | 新鄉市平原專利有限責任公司41107 | 代理人： | 于兆惠 |
| 地址： | 453007 河*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單層 少層二 硫化 納米 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單層或少層二硫化鎢納米片的制備方法，其特征在于具體步驟為：將WS2粉體溶于乙醇與去離子水的混合溶液中，使WS2的濃度為8mg/mL，超聲輔助剝離8h，再經過離心30min去除未剝離的沉淀物后得到單層或少層WS2納米片懸浮液。
2.根據權利要求1所述的單層或少層二硫化鎢納米片的制備方法，其特征在于：所述的乙醇與去離子水的混合溶液中乙醇與去離子水的體積比為7:3。
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