[發明專利]F?P構型調Q倍頻激光器

在審

• 申請號: 201710104949.X
• 申請日: 2017-02-25
• 公開（公告）號: CN106654836A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 席道明;黃凌雄;呂艷釗;馬永坤;魏皓
• 申請（專利權）人: 江蘇天元激光科技有限公司
• 主分類號: H01S3/08
• 分類號: H01S3/08;H01S3/11;H01S3/05
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種F-P構型調Q倍頻激光器，其特征在于，它包括：

用于通過泵浦光并產生基頻激光的激光工作介質（10）；

F-P標準調Q倍頻器件（20），所述F-P標準調Q倍頻器件（20）設置在激光工作介質（10）的后方，并且所述F-P標準調Q倍頻器件（20）由具有電致伸縮效應和倍頻光學效應的晶體制成，所述F-P標準調Q倍頻器件（20）的電致伸縮方向與基頻激光在所述F-P標準調Q倍頻器件（20）所對應的倍頻方向重合，當所述F-P標準調Q倍頻器件（20）的電致伸縮長度不滿足基頻激光的法布里-珀羅干涉條件時，所述F-P標準調Q倍頻器件（20）和激光工作介質（10）之間組成振蕩基頻激光的激光諧振腔，當所述F-P標準調Q倍頻器件（20）的電致伸縮長度滿足基頻激光的法布里-珀羅干涉條件時，所述激光工作介質（10）產生的基頻激光沿倍頻方向通過所述F-P標準調Q倍頻器件（10），并當基頻激光能力密度超過倍頻轉換閾值時在所述F-P標準調Q倍頻器件內產生倍頻激光輸出。

2.根據權利要求1所述的F-P構型調Q倍頻激光器，其特征在于：所述激光工作介質（10）具有位于前端的第一先光學端面（11）和位于后端并靠近F-P標準調Q倍頻器件（20）的第一后光學端面（12），所述第一先光學端面（11）上設置有對泵浦光增透和對基頻激光全反射的第一介質膜，所述第一后光學端面（12）上設置有對泵浦光全反射和對基頻激光增透的第二介質膜，所述F-P標準調Q倍頻器件（20）具有位于后端的第二后光學端面（22）和位于前端并靠近激光工作介質（10）的第二先光學端面（21），所述第二先光學端面（21）上設置有對基頻激光高反射和對倍頻激光高反射的第三介質膜，所述第二后光學端面（22）上設置有對基頻激光高反射和對倍頻激光增透的第四介質膜。

3.根據權利要求1所述的F-P構型調Q倍頻激光器，其特征在于：所述激光工作介質為激光晶體或激光陶瓷或激光玻璃或激光光纖或激光染料。

4.根據權利要求1所述的F-P構型調Q倍頻激光器，其特征在于：所述F-P標準調Q倍頻器件（20）由LN材質或KN材質或LT材質或LI材質或石英材質制成。

5.根據權利要求1所述的F-P構型調Q倍頻激光器，其特征在于：還包括基座（30），所述F-P標準調Q倍頻器件（20）的后端緊貼在基座（30）上，并且基座（30）的中心處設置有用于通過激光光束的通孔。