[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710103949.8
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號(hào): CN107134477B
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳重輝;詹豪杰;陳威志
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L23/64;H01L29/78
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

多個(gè)有源區(qū)，彼此間隔設(shè)置；

多個(gè)柵極，橫越在所述有源區(qū)上方；

多個(gè)導(dǎo)體，設(shè)置在所述有源區(qū)上方并且設(shè)置在所述有源區(qū)之間；

其中，設(shè)置在所述有源區(qū)之間的導(dǎo)體中的每一個(gè)都布置在鄰近的兩個(gè)所述柵極之間、并且具有與所述柵極中的至少一個(gè)對應(yīng)的柵極重疊的部分以形成至少一個(gè)電容器，

其中，在所述多個(gè)導(dǎo)體中，設(shè)置在所述有源區(qū)之間的所述導(dǎo)體不設(shè)置在所述有源區(qū)上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極彼此間隔設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極和所述導(dǎo)體形成串聯(lián)、并聯(lián)或串聯(lián)和并聯(lián)組合連接的電容器。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)體彼此間隔設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極和所述導(dǎo)體形成串聯(lián)、并聯(lián)或串聯(lián)和并聯(lián)組合連接的電容器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電容器的電容值正比于所述柵極中的一個(gè)和所述導(dǎo)體中的一個(gè)的重疊部分的面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電容器的電容值反比于所述柵極中的一個(gè)和所述導(dǎo)體中的一個(gè)之間的間隙。

8.一種半導(dǎo)體器件，包括：

多個(gè)有源區(qū)；

至少一個(gè)柵極，橫越在所述有源區(qū)上方以形成晶體管，其中，所述至少一個(gè)柵極包括位于所述有源區(qū)之間而不位于所述有源區(qū)上方的開口；以及

第一導(dǎo)體，設(shè)置在所述開口內(nèi)；

其中，所述第一導(dǎo)體和所述至少一個(gè)柵極至少部分重疊以形成第一電容器。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)體和所述至少一個(gè)柵極的兩個(gè)相對側(cè)至少部分重疊。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述至少一個(gè)柵極由多晶硅、金屬或合金形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第二導(dǎo)體，其中，所述第二導(dǎo)體和所述至少一個(gè)柵極至少部分重疊以形成第二電容器。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體彼此間隔設(shè)置。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，通過所述至少一個(gè)柵極的兩個(gè)相對側(cè)和所述第一導(dǎo)體形成所述第一電容器，并且通過所述至少一個(gè)柵極的兩個(gè)相對側(cè)中的一個(gè)和所述第二導(dǎo)體形成所述第二電容器。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一電容器和所述第二電容器串聯(lián)、并聯(lián)或串聯(lián)和并聯(lián)組合連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一電容器的電容值正比于所述至少一個(gè)柵極和所述第一導(dǎo)體的重疊部分的面積。