[發(fā)明專利]一種測(cè)試陣列基板的柵極線的線路及方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710103693.0
• 申請(qǐng)日: 2017-02-24
• 公開（公告）號(hào): CN106647082A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李安石
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L23/544
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建

1.一種測(cè)試陣列基板的柵極線的線路，其特征在于，包括：

測(cè)試墊；

第一開關(guān)單元，所述柵極線通過(guò)所述第一開關(guān)單元與所述測(cè)試墊連接，所述第一開關(guān)單元的一端與控制端連接；

通過(guò)向控制端施加電壓來(lái)控制所述第一開關(guān)單元的導(dǎo)通和截止，在所述第一開關(guān)單元截止時(shí)，所述柵極線正常工作；在所述第一開關(guān)單元導(dǎo)通時(shí)，通過(guò)所述測(cè)試墊對(duì)所述柵極線的輸出信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路，其特征在于，所述第一開關(guān)單元包括第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的第一端與所述柵極線連接，所述第一薄膜晶體管的第二端與所述測(cè)試墊連接，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述控制端連接，其中，所述第一端為所述第一薄膜晶體管的源極或漏極中的一端，所述第二端為所述第二薄膜晶體管的源極或漏極中的另一端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線路，其特征在于，所述第一開關(guān)單元還包括第二開關(guān)單元，所述第一薄膜晶體管的柵極通過(guò)所述第二開關(guān)單元與所述控制端連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的線路，其特征在于，所述第二開關(guān)單元是第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的第三端與所述第一薄膜晶體管的柵極連接，所述第二薄膜晶體管的柵極和第四端相連并與所述控制端連接，其中，所述第三端為所述第二薄膜晶體管的源極或漏極中的一端，所述第四端為所述第二薄膜晶體管的源極或漏極中的另一端。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的線路，其特征在于，所述第二開關(guān)單元包含多個(gè)級(jí)聯(lián)的第二薄膜晶體管，其中，每個(gè)第二薄膜晶體管的柵極和第四端連接并依次與相鄰的第二薄膜晶體管的第三端連接，位于首端的第二薄膜晶體管的第三端與所述第一薄膜晶體管的柵極連接，位于尾端的第二薄膜晶體管的柵極和第四端相連并與所述控制端連接，其中，所述第三端為所述第二薄膜晶體管的源極或漏極中的一端，所述第四端為所述第二薄膜晶體管的源極或漏極中的另一端。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的線路，其特征在于，所述控制端通過(guò)電引線與陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電線中的第一電壓輸出端連接，在第一電壓的作用下，所述第一開關(guān)單元截止。

7.一種測(cè)試陣列基板的柵極線的方法，其特征在于，使用權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的線路對(duì)所述柵極線進(jìn)行測(cè)試，包括以下步驟：

向所述第一開關(guān)單元的控制端施加第一電壓，所述第一開關(guān)單元截止，所述柵極線正常工作；

當(dāng)所述陣列基板工作異常時(shí)，向所述第一開關(guān)單元的控制端施加第二電壓，在第二電壓的作用下，所述第一開關(guān)單元導(dǎo)通，通過(guò)所述測(cè)試墊對(duì)所述柵極線的輸出信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，通過(guò)電引線將所述控制端與所述第一電壓輸出端連接，從而向所述控制端施加第一電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一電壓輸出端由陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電線提供。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，切斷所述控制端與所述第一電壓輸出端之間的連接，向第一控制端接入外置的第二電壓。