[發明專利]二硫化鉬納米片原位修飾生物陶瓷支架及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 201710103439.0 | 申請日： | 2017-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN108498858B | 公開（公告）日： | 2020-02-14 |
| 發明（設計）人： | 吳成鐵;王小成;常江;金曉剛 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | A61L27/10 | 分類號： | A61L27/10;A61L27/30;A61L27/50;A61L27/54;A61K41/00 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 鄭優麗;熊子君 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二硫化鉬納米片 支架 生物陶瓷 原位修飾 制備方法和應用 生物活性陶瓷 黃長石 臨床應用 原位生長 支架表面 植入材料 組織缺損 腫瘤 修復 治療 | ||
1.一種二硫化鉬納米片原位修飾生物陶瓷支架，其特征在于，包括鎂黃長石生物活性陶瓷支架和原位生長于所述鎂黃長石生物活性陶瓷支架表面的二硫化鉬納米片。
2.根據權利要求1所述的二硫化鉬納米片原位修飾生物陶瓷支架，其特征在于，所述鎂黃長石生物活性陶瓷支架是通過3D打印制得的。
3.根據權利要求1或2所述的二硫化鉬納米片原位修飾生物陶瓷支架，其特征在于，所述二硫化鉬納米片的片徑為300～600nm，厚度為2～4nm，二硫化鉬納米片構成的整個層的厚度為1～5μm。
4.根據權利要求1或2所述的二硫化鉬納米片原位修飾生物陶瓷支架，其特征在于，鎂黃長石生物活性陶瓷支架和二硫化鉬納米片之間還存在過渡層，所述過渡層中含有Ca、Mg、Si、O、Mo和S元素，所述過渡層的厚度為3～4μm。
5.一種權利要求1至4中任一項所述的二硫化鉬納米片原位修飾生物陶瓷支架的制備方法，其特征在于，將鎂黃長石生物活性陶瓷支架置于含有鉬源和硫源的水溶液中，在120～180℃進行水熱反應，得到二硫化鉬納米片原位修飾生物陶瓷支架。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述鎂黃長石生物活性陶瓷支架的通過如下方法制備：
將鎂黃長石陶瓷粉：海藻酸鈉：F127水溶液以質量比為1：（0.05～0.07）：（0.4～0.6）進行混合得到糊狀物；
將所得糊狀物置入三維打印機中進行三維打印，得到坯體；
將所得坯體在1000～1350℃燒結3～5小時，制得鎂黃長石生物活性陶瓷支架。
7.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，在所述含有鉬源和硫源的水溶液中，鉬離子的濃度為0.05～0.20 mol／L，硫元素的濃度為0.21～0.86 mol／L。
8.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，所述鉬源為可溶性鉬酸鹽；所述硫源為硫脲。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述鉬源為四水鉬酸銨、四水鉬酸鈉。
10.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，水熱反應時間為10～24 小時。
11.一種權利要求1至4中任一項所述的二硫化鉬納米片原位修飾生物陶瓷支架在制備骨腫瘤與修復骨缺損材料中的應用。
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