[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710103297.8
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN107134453B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 李海王
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

本公開提供了半導體器件及其制造方法。一種半導體器件包括在基板上的第一有源結構，第一有源結構在第一方向上包括第一外延圖案、第二外延圖案以及在第一外延圖案和第二外延圖案之間的第一溝道圖案，第一溝道圖案包括堆疊在基板上的至少一個溝道圖案。第一柵極結構設置在第一溝道圖案的頂表面和底表面上。第二有源結構在基板上并在第一方向上包括第二外延圖案、第三外延圖案以及在第二外延圖案和第三外延圖案之間的第二溝道圖案。第二溝道圖案包括堆疊在基板上的至少一個溝道圖案。第二溝道圖案的堆疊的溝道圖案的數量大于第一溝道圖案的堆疊的溝道圖案的數量。第二柵極結構設置在第二溝道圖案的頂表面和底表面上。

技術領域

本發明構思的示范性實施方式涉及一種半導體器件及其制造方法。

背景技術

高度集成的半導體器件可以包括高性能晶體管。高度集成的半導體器件還可以包括具有不同電特性的各種類型的晶體管。

發明內容

根據本發明構思的示范性實施方式，一種半導體器件包括第一有源結構，該第一有源結構在基板上并在平行于基板的頂表面的第一方向上包括第一外延圖案、第二外延圖案以及在第一外延圖案和第二外延圖案之間的第一溝道圖案，第一溝道圖案包括堆疊在基板上的至少兩個溝道圖案。第一柵極結構設置在第一溝道圖案的頂表面和底表面上并在垂直于第一方向且平行于基板的頂表面的第二方向上延伸。第二有源結構在基板上并在第一方向上包括第二外延圖案、第三外延圖案以及在第二外延圖案和第三外延圖案之間的第二溝道圖案。第二溝道圖案包括堆疊在基板上的至少一個溝道圖案。第二溝道圖案的堆疊的溝道圖案的數量大于第一溝道圖案的堆疊的溝道圖案的數量。第二柵極結構設置在第二溝道圖案的頂表面和底表面上并在第二方向上延伸。

根據本發明構思的示范性實施方式，一種半導體器件包括第一有源結構，該第一有源結構在基板上并在平行于基板的頂表面的第一方向上包括第一外延圖案、第二外延圖案以及在第一外延圖案和第二外延圖案之間的第一溝道圖案，第一溝道圖案包括堆疊在基板上的至少一個溝道圖案。第一柵極結構設置在第一溝道圖案的頂表面和底表面上并在垂直于第一方向且平行于基板的頂表面的第二方向上延伸。第二有源結構在基板上并在第一方向上包括第三外延圖案、第四外延圖案以及在第三外延圖案和第四外延圖案之間的第二溝道圖案。第二溝道圖案包括堆疊在基板上的至少一個溝道圖案。第二溝道圖案的堆疊的溝道圖案的數量大于第一溝道圖案的堆疊的溝道圖案的數量。第二柵極結構設置在第二溝道圖案的頂表面和底表面上并在第二方向上延伸。虛設有源結構在基板上。虛設有源結構在第一方向上包括第二外延圖案、第三外延圖案、在第二外延圖案和第三外延圖案之間的虛設溝道圖案。虛設溝道圖案包括堆疊在基板上的至少一個溝道圖案。虛設柵極結構設置在虛設溝道圖案的頂表面和底表面上并在第二方向上延伸。

根據本發明構思的示范性實施方式，一種半導體器件包括在基板上的多個外延圖案，該多個外延圖案在平行于基板的頂表面的第一方向上彼此間隔開。多個溝道圖案組在第一方向上位于多個外延圖案之間。所述多個溝道圖案組的每個包括在垂直于基板的頂表面的第二方向上堆疊的多個溝道圖案。所述多個溝道圖案組中的至少一個溝道圖案組具有與包括在所述多個溝道圖案組中的另一個溝道圖案組中的溝道圖案的第二數量不同的第一數量的溝道圖案。多個柵極結構分別在所述多個溝道圖案組上。多個柵極結構的每個在垂直于第一方向且平行于基板的頂表面的第三方向上延伸。多個柵極結構的每個設置在所述多個溝道圖案組中的相應溝道圖案組的多個溝道圖案的頂表面和底表面上。