[發明專利]半導體裝置及熔絲的切斷方法

有效

• 申請號: 201710103120.8
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN107123635B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 北島裕一郎
• 申請（專利權）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;陳嵐

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

半導體襯底；

第1層間絕緣膜，設在所述半導體襯底的表面；

下部熔絲布線，設在所述第1層間絕緣膜上；

熔絲間絕緣膜，設在所述下部熔絲布線上；

上部熔絲元件，設在所述熔絲間絕緣膜上并具有激光照射區域及上部熔絲布線部；

熔絲連接觸點，設在所述熔絲間絕緣膜并連接所述下部熔絲布線和所述上部熔絲元件；以及

第2層間絕緣膜，設在所述熔絲間絕緣膜上，

所述激光照射區域為圓形，所述熔絲連接觸點配置在所述激光照射區域的中心，

所述熔絲間絕緣膜包括第3氧化膜、氮化硅膜、和第4氧化膜。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述上部熔絲元件的上部熔絲布線部不與相鄰的上部熔絲元件的上部熔絲布線部鄰接。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述激光照射區域俯視觀察為圓形。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還具有：

最終保護膜，設在所述第2層間絕緣膜上；以及

保護膜開口區域，設在所述最終保護膜的、成為包含所述激光照射區域的所述上部熔絲元件的上方的區域，

所述下部熔絲布線從所述保護膜開口區域的一邊到另一邊向其下方彎曲而配置。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述下部熔絲布線和所述上部熔絲元件由不同的材料構成。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述上部熔絲元件和所述熔絲連接觸點由不同的材料構成。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述上部熔絲布線部寬度比所述下部熔絲布線更小。

8.一種熔絲切斷方法，其特征在于，在權利要求1所述的半導體裝置中，向所述激光照射區域照射激光束，使所述激光照射區域熔融氣化，從而切斷所述激光照射區域。