[發(fā)明專利]具有改善的反射性質的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710102912.3 | 申請日: | 2017-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN107104126A | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金晙燁;宋英宇;鄭鎮(zhèn)九;崔俊呼 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司11286 | 代理人: | 劉燦強,陳曉博 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 改善 反射 性質 有機 發(fā)光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明構思的示例性實施例涉及有機發(fā)光顯示裝置。更具體地,本發(fā)明構思的示例性實施例涉及具有改善的反射性質的有機發(fā)光顯示裝置和它們的制造。
背景技術
因為與陰極射線管(CRT)顯示裝置相比,平板顯示(FPD)裝置質輕且薄,所以已經發(fā)現平板顯示裝置在各種電子裝置中的廣泛應用。平板顯示裝置的典型示例是液晶顯示(LCD)裝置和有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置。與LCD相比,OLED具有諸如更高的亮度和更寬的視角的許多優(yōu)點。另外,因為OLED顯示裝置不需要背光,所以OLED顯示裝置可以被制造得更薄。在OLED顯示裝置中,電子和空穴通過陰極和陽極被注入到有機薄層中,然后在有機薄層中復合以產生激子,從而產生特定波長的光。
近來,已經開發(fā)了通過包括反射構件能夠反射位于OLED裝置前方的物體(或目標)的圖像的鏡面OLED裝置。另外,已經開發(fā)了具有鏡子功能和觸摸功能的OLED裝置。反射構件可以設置在顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域中。
然而,設置在顯示區(qū)域中的反射構件的反射率會與設置在外圍區(qū)域中的反射構件的反射率不同。因此,設置在外圍區(qū)域中的反射構件會被看作與設置在顯示區(qū)域中的反射構件分開。
發(fā)明內容
本發(fā)明構思的示例性實施例提供了一種具有鏡子功能和觸摸功能的有機發(fā)光顯示裝置。
本發(fā)明構思的示例性實施例還提供了一種制造所述有機發(fā)光顯示裝置的方法。
在根據本發(fā)明構思的有機發(fā)光顯示裝置的示例性實施例中,有機發(fā)光顯示裝置包括包含顯示區(qū)域和外圍區(qū)域的基底以及位于顯示區(qū)域和外圍區(qū)域兩者中的第一反射構件。第一反射構件包括形成在顯示區(qū)域的發(fā)光區(qū)域中的第一開口和形成在外圍區(qū)域中的第二開口。
在示例性實施例中,第二開口可以具有與第一開口基本上相同的形狀和相同的尺寸。
在示例性實施例中,第二開口可以具有與第一開口不同的形狀。
在示例性實施例中,第二開口可以具有與第一開口不同的尺寸。
在示例性實施例中,第一反射構件可以包括設置在顯示區(qū)域中的第一反射部分以及設置在外圍區(qū)域中并與第一反射部分一體地形成的第二反射部分。
在示例性實施例中,第二反射部分的反射率可以基本上等于第一反射部分的反射率。
在示例性實施例中,有機發(fā)光顯示裝置還可以包括設置在發(fā)光區(qū)域中并且包括柵電極、源電極、漏電極以及與柵電極疊置的有源圖案的開關元件、電連接到開關元件的下電極、接近下電極并且具有形成在發(fā)光區(qū)域中的開口的像素限定層、設置在下電極上的發(fā)光層、設置在像素限定層和發(fā)光層上的上電極以及設置在外圍區(qū)域中的金屬線。
在示例性實施例中,有機發(fā)光顯示裝置還可以包括設置在外圍區(qū)域中并與金屬線疊置光阻擋圖案。
在示例性實施例中,光阻擋圖案可以設置在與像素限定層相同的層上。
在示例性實施例中,光阻擋圖案可以包括黑色有機材料。
在示例性實施例中,有機發(fā)光顯示裝置還可以包括完全設置在顯示區(qū)域和外圍區(qū)域中的第二反射構件,第二反射構件與第一反射構件疊置,并且比第一反射構件薄。
在示例性實施例中,有機發(fā)光顯示裝置還可以包括設置為面向基底的第二基底。第一反射構件可以設置在第二基底的第一表面上,第二反射構件可以設置在第二基底的與第一表面相對的第二表面上。
在示例性實施例中,有機發(fā)光顯示裝置還可以包括設置為面向基底的第二基底。第一反射構件可以設置在第二基底的第一表面上,第二反射構件可以設置在第二基底和第一反射構件之間。
在示例性實施例中,有機發(fā)光顯示裝置還可以包括設置為面向基底的第二基底。第二反射構件可以設置在第二基底的第一表面上,第一反射構件可以設置在第二基底和第二反射構件之間。
在示例性實施例中,有機發(fā)光顯示裝置還可以包括設置在基底上的薄膜包封層。第一反射構件可以設置在薄膜包封層上。
在示例性實施例中,有機發(fā)光顯示裝置還可以包括設置在發(fā)光區(qū)域中并且包括柵電極、源電極、漏電極以及與柵電極疊置的有源圖案的開關元件、電連接到開關元件的下電極、接近下電極并且具有形成在發(fā)光區(qū)域中的開口的像素限定層、設置在下電極上的發(fā)光層、設置在像素限定層和發(fā)光層上的上電極以及設置在外圍區(qū)域中的金屬線。
在示例性實施例中,有機發(fā)光顯示裝置還可以包括設置在外圍區(qū)域中并與金屬線疊置的光阻擋圖案。
在示例性實施例中,光阻擋圖案可以設置在與像素限定層相同的層上。
在示例性實施例中,光阻擋圖案可以包括黑色有機材料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710102912.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:存儲器件
- 下一篇:半導體裝置及半導體裝置的制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





