[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和在半導(dǎo)體管芯周圍形成絕緣層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710102855.9
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN107134438B
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S.金努薩米;K.辛普森;M.C.科斯特羅
• 申請（專利權(quán)）人: 商升特公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進(jìn);陳嵐

1.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體晶片包括在所述半導(dǎo)體晶片的第一表面上方形成的多個接觸焊盤和多個半導(dǎo)體管芯；

部分地穿過所述半導(dǎo)體晶片的所述第一表面形成第一溝槽；

將絕緣材料設(shè)置在所述半導(dǎo)體晶片的所述第一表面上方和到所述第一溝槽中，同時使所述接觸焊盤從所述絕緣材料中暴露，其中所述接觸焊盤在設(shè)置所述絕緣材料之前包括平的上表面和平的下表面；

在所述絕緣材料中形成第二溝槽并且延伸到所述第一溝槽中，同時所述半導(dǎo)體晶片保持在所述第一溝槽和第二溝槽下方延伸；

形成從第一接觸焊盤延伸到第二接觸焊盤并且延伸到所述第一接觸焊盤和第二接觸焊盤之間的第二溝槽中的導(dǎo)電層；

在形成所述導(dǎo)電層之后移除所述半導(dǎo)體晶片的、與所述半導(dǎo)體晶片的所述第一表面相對的一部分，以在所述半導(dǎo)體晶片的第二表面處暴露所述第一溝槽中的絕緣材料，其中所述絕緣材料保持完全跨過第二溝槽地在所述導(dǎo)電層上方延伸；

在所述半導(dǎo)體晶片的第二表面和側(cè)表面上方形成絕緣層；以及

穿過所述第一溝槽中的絕緣材料和所述第二溝槽中的導(dǎo)電層而單體化所述半導(dǎo)體晶片，以分離所述半導(dǎo)體管芯。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

使用第一成型工藝將所述絕緣材料設(shè)置在所述半導(dǎo)體晶片的所述第一表面上方和到所述第一溝槽中；以及

使用第二成型工藝將所述絕緣層形成在所述半導(dǎo)體晶片的所述第二表面和所述側(cè)表面上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述絕緣材料和絕緣層包圍所述半導(dǎo)體管芯。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電層完全填充所述第二溝槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述接觸焊盤包括垂直于所述接觸焊盤的上表面和下表面的側(cè)表面。

6.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體晶片包括形成在所述半導(dǎo)體晶片的第一表面上方的多個接觸焊盤；

將第一溝槽形成到所述半導(dǎo)體晶片的所述第一表面中；

將絕緣材料設(shè)置在所述半導(dǎo)體晶片的所述第一表面上方和到所述第一溝槽中，其中所述接觸焊盤從所述絕緣材料中暴露；

在所述第一溝槽中的絕緣材料中形成第二溝槽；

形成從第一接觸焊盤延伸到第二接觸焊盤并且延伸到第二溝槽中的導(dǎo)電層；

對半導(dǎo)體晶片的第二表面進(jìn)行背面研磨以暴露所述溝槽中的絕緣材料；

將絕緣層形成在所述半導(dǎo)體晶片的所述第二表面和側(cè)表面上方；以及

穿過所述第二溝槽和所述絕緣材料中的導(dǎo)電層而單體化所述半導(dǎo)體晶片。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括通過印刷工藝形成所述導(dǎo)電層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在對所述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行背面研磨之后穿過所述第一溝槽中的所述絕緣材料單體化所述半導(dǎo)體晶片。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括用模制工藝形成所述絕緣層。

10.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體晶片包括形成在所述半導(dǎo)體晶片的第一表面上方的第一接觸焊盤和第二接觸焊盤；

在第一接觸焊盤和第二接觸焊盤之間形成溝槽到所述半導(dǎo)體晶片中；

將絕緣材料沉積到所述溝槽中和在所述半導(dǎo)體晶片的第一表面上方，其中所述第一接觸焊盤、第二接觸焊盤和絕緣材料的頂表面是共面的；

形成開口到所述絕緣材料中，其中所述開口延伸到所述溝槽中并且所述絕緣材料的一部分保持在所述開口和所述溝槽的底部之間；

在所述溝槽上方形成從所述第一接觸焊盤到所述第二接觸焊盤的導(dǎo)電層，其中所述導(dǎo)電層延伸到所述開口中；

移除所述半導(dǎo)體晶片的一部分以在所述半導(dǎo)體晶片的第二表面處暴露絕緣材料；以及

在所述半導(dǎo)體晶片的第二表面和側(cè)表面上方形成絕緣層。