[發(fā)明專利]真空裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710102611.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107275252A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山元一生;清水敦;高木陽(yáng)一;中越英雄;小松了;新開(kāi)秀樹(shù);小田哲也 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社村田制作所 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100 | 代理人: | 陳力奕 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 真空 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及真空裝置,特別涉及對(duì)電子元器件等被處理物實(shí)施濺射處理或等離子處理等時(shí)所使用的真空裝置。
背景技術(shù)
近年來(lái),由于多功能移動(dòng)電話等電子設(shè)備中所使用的電子元器件的增加、以及電子設(shè)備的小型化所造成的電子元器件的安裝密度上升,電子元器件中的噪聲干涉成為問(wèn)題。為此,對(duì)于所述電子元器件中的一種、即通信用模塊產(chǎn)品(下文中有時(shí)簡(jiǎn)稱為產(chǎn)品),多要求形成有用于保護(hù)功能部不受噪聲影響的屏蔽膜。對(duì)于形成這樣的屏蔽膜,例如采用濺射裝置。濺射處理在高真空中進(jìn)行,并且使濺射處理中的產(chǎn)品成為高溫。
為了降低濺射處理中的產(chǎn)品的溫度,提出了將產(chǎn)品載放在具備冷卻單元的被處理物載放部上來(lái)實(shí)施濺射處理的方案。該情況下,為了使產(chǎn)品與被處理物載放部粘接,使熱傳導(dǎo)可靠地進(jìn)行,例如有時(shí)會(huì)采用雙面粘接膠帶等將產(chǎn)品粘貼在被處理物載放部上。然而,將雙面粘接膠帶粘貼至被處理物載放部時(shí),在被處理物載放部與雙面粘接膠帶之間有部分的空氣殘留。若以這樣的狀態(tài)直接在高真空中實(shí)施濺射處理,則殘留在被處理物載放部與雙面粘接膠帶之間的空氣體積膨脹,產(chǎn)生使產(chǎn)品無(wú)法正確保持在所期望的位置上的問(wèn)題。
對(duì)于上述問(wèn)題,例如像日本專利特開(kāi)平11-251413號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)所記載的那樣,通過(guò)在被處理物載放部上設(shè)置用于將空氣排出至基板載放部的上表面的槽能得到解決。
圖8是專利文獻(xiàn)1所記載的真空裝置200的剖視圖。真空裝置200中,通過(guò)基板載放部即電極202、蓋構(gòu)件206、以及底座構(gòu)件207來(lái)構(gòu)成真空腔室201。電極202與高頻電源212連接。在底座構(gòu)件207中設(shè)置管部208,經(jīng)由管部208將作為排氣單元的真空排氣部209和等離子氣體提供部210連接在真空腔室201。基板205利用引導(dǎo)構(gòu)件204被固定在電極202的上表面。
在圖8中的真空裝置200中,等離子體產(chǎn)生氣體被提供至呈高真空的真空腔室201內(nèi),通過(guò)對(duì)電極202施加高頻電壓,在真空腔室201內(nèi)產(chǎn)生等離子體。其結(jié)果是,通過(guò)產(chǎn)生的離子、電子在基板205的表面上產(chǎn)生沖突,來(lái)對(duì)基板205的表面進(jìn)行等離子處理。
這里,在電極202的上表面沿傳送基板205的方向設(shè)置有以直線狀連續(xù)排列的多個(gè)槽203。該情況下,即使在電極202的上表面與基板205的下表面的間隙中殘留有空氣,也能利用槽203迅速地排出間隙內(nèi)的空氣,因此在基板205的上表面與下表面之間不產(chǎn)生壓力差。由此,在真空裝置200中能防止這樣的壓力差造成真空排氣時(shí)的基板205的位置偏移。
即,即使在利用雙面粘接膠帶等將產(chǎn)品粘貼在被處理物載放部上的情況下,也能通過(guò)在被處理物載放部上設(shè)置槽,來(lái)排出殘留在被處理物載放部與雙面粘接膠帶之間的空氣。結(jié)果,可以認(rèn)為能正確地將產(chǎn)品保持在期望的位置上。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本專利特開(kāi)平11-251413號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
另一方面,在專利文件1的記載中未提及槽203的寬度。近年來(lái),由于通信用模塊產(chǎn)品的小型化不斷推進(jìn),產(chǎn)品的尺寸可能變得比槽的寬度要小。例如,如圖9所示,在設(shè)置了寬度w1的槽303的被處理物載放部302上,若利用雙面粘接膠帶304粘貼比寬度w1窄的寬度w2的產(chǎn)品305,則存在位于槽303上的產(chǎn)品305。即,從其上方觀察被處理物載放部302時(shí),這樣的產(chǎn)品305成為與被處理物載放部302中未形成槽303的部分不重疊的狀態(tài)。
該情況下,被處理物載放部302與產(chǎn)品305之間的熱傳導(dǎo)變得不充分,因此在濺射處理中產(chǎn)品305恐怕會(huì)變?yōu)楦邷亍H舢a(chǎn)品305變?yōu)楦邷兀瑒t恐怕發(fā)生例如由模塑樹(shù)脂等的產(chǎn)品305所具備的樹(shù)脂部分的熱膨脹所造成的變形,或在產(chǎn)品305中使電子元器件與基板連接的焊料發(fā)生再熔融等,從而導(dǎo)致產(chǎn)品305成為次品。
于是,本發(fā)明的目的在于提供一種真空裝置,即使是小型的通信用模塊也能以充分抑制了溫度上升的狀態(tài)來(lái)實(shí)施濺射處理、等離子處理等表面處理。
解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案
本發(fā)明中,為了使得即使是小型的通信用模塊也能以充分抑制了溫度上升的狀態(tài)在真空中實(shí)施表面處理,因此,能力圖改善設(shè)置于載放被處理物的被處理物載放部上的槽的形態(tài)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





