[發(fā)明專利]MOS管電流采樣電路和推挽電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710102315.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-02-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106950414B | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳文江;徐鵬華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳陸巡科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01R19/00 | 分類號(hào)： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京維正專利代理有限公司 11508 | 代理人： | 何星民 |
| 地址： | 518101 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mos 電流 采樣 電路 | ||
本發(fā)明涉及MOSFET技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種MOS管電流采樣電路和推挽電路。該MOS管電流采樣電路包括二極管D1、二極管D2、電阻R1和電壓采集端；二極管D1的陰極通過電阻R1與二極管D2的陽(yáng)極連接，二極管D2的陰極與需要進(jìn)行電流采樣的MOS管Q1的漏極連接，MOS管Q1的源極接電源地；電阻R1的阻值遠(yuǎn)大于MOS管Q1的導(dǎo)通電阻；二極管D1的陽(yáng)極與MOS管Q1的柵極驅(qū)動(dòng)電壓端連接；電壓采集端與二極管D2的陽(yáng)極連接。推挽電路，包括上述MOS管電流采樣電路、MOS管Q1和MOS管Q2。本發(fā)明提供的MOS管電流采樣電路和推挽電路不需要串聯(lián)到MOS管網(wǎng)絡(luò)內(nèi)即可監(jiān)測(cè)MOS管的電流，降低了功率損耗、提高了效率，同時(shí)，可進(jìn)一步縮小器件體積，降低器件成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種MOS管電流采樣電路和推挽電路。
背景技術(shù)
MOSFET是電源產(chǎn)品中常用的開關(guān)器件，對(duì)于MOSFET中流經(jīng)電流的采樣是完成對(duì)電源產(chǎn)品的閉環(huán)控制和可靠性設(shè)計(jì)的前提條件。傳統(tǒng)的MOSFET電流采樣一般是在MOSFET網(wǎng)絡(luò)內(nèi)串聯(lián)電流檢測(cè)器件。例如，在圖1所示電路中，在MOS管Q1、Q2的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)串聯(lián)采樣電阻Rs，通過檢測(cè)電阻Rs上的電壓來(lái)獲取Q1、Q2的電流信息。這種通過在MOSFET網(wǎng)絡(luò)內(nèi)串聯(lián)電流檢測(cè)器件來(lái)對(duì)MOSFET進(jìn)行電流采樣的方式有如下缺點(diǎn)：
1、需要串聯(lián)電流采樣器件到MOSFET網(wǎng)絡(luò)內(nèi)，由于MOSFET網(wǎng)絡(luò)流經(jīng)大電流，會(huì)造成較大功率損耗，降低效率。
2、由于串聯(lián)的電流采樣器件功耗大，因而器件體積大、成本高。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種MOS管電流采樣電路和推挽電路，以解決現(xiàn)有的MOSFET電流采樣方式功率損耗大、效率低的問題。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的：
一種MOS管電流采樣電路，包括二極管D1、二極管D2、電阻R1和電壓采集端；
所述二極管D1的陰極通過所述電阻R1與所述二極管D2的陽(yáng)極連接，所述二極管D2的陰極與需要進(jìn)行電流采樣的MOS管Q1的漏極連接，所述MOS管Q1的源極接電源地；所述電阻R1的阻值遠(yuǎn)大于所述MOS管Q1的導(dǎo)通電阻；
所述二極管D1的陽(yáng)極與所述MOS管Q1的柵極驅(qū)動(dòng)電壓端連接；
所述電壓采集端與所述二極管D2的陽(yáng)極連接。
進(jìn)一步地，所述MOS管電流采樣電路還包括二極管D3和二極管D4；
所述二極管D3的陰極通過所述電阻R1與所述二極管D4的陽(yáng)極連接，所述二極管D4的陰極與需要進(jìn)行電流采樣的MOS管Q2的漏極連接，所述MOS管Q2的源極接所述電源地；所述電阻R1的阻值遠(yuǎn)大于所述MOS管Q2的導(dǎo)通電阻；
所述二極管D3的陽(yáng)極與所述MOS管Q2的柵極驅(qū)動(dòng)電壓端連接。
進(jìn)一步地，所述MOS管電流采樣電路還包括數(shù)字信號(hào)處理芯片，所述數(shù)字信號(hào)處理芯片與所述電壓采集端連接，通過所述電壓采集端接收并處理壓降信號(hào)。
一種推挽電路，包括如上所述的MOS管電流采樣電路，還包括如上所述的MOS管Q1和MOS管Q2。
進(jìn)一步地，所述MOS管Q1的柵極串聯(lián)有電阻R2，MOS管Q1的柵極通過電阻R2與MOS管Q1的柵極驅(qū)動(dòng)電壓端連接；所述MOS管Q2的柵極串聯(lián)有電阻R3，MOS管Q2的柵極通過電阻R3與MOS管Q2的柵極驅(qū)動(dòng)電壓端連接。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的MOS管電流采樣電路不需要串聯(lián)到MOS管網(wǎng)絡(luò)內(nèi)即可監(jiān)測(cè)MOS管的電流，降低了功率損耗、提高了效率，同時(shí)，可進(jìn)一步縮小器件體積，降低器件成本。
附圖說明
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