[發明專利]基于鋁光柵耦合氮化硅薄膜波導的顏色濾波器及制備方法在審
| 申請號: | 201710101902.8 | 申請日: | 2017-02-24 | 
| 公開(公告)號: | CN106896436A | 公開(公告)日: | 2017-06-27 | 
| 發明(設計)人: | 徐挺;王嘉星;梁瑜章 | 申請(專利權)人: | 南京大學 | 
| 主分類號: | G02B5/20 | 分類號: | G02B5/20;G02B6/124 | 
| 代理公司: | 南京知識律師事務所32207 | 代理人: | 李媛媛 | 
| 地址: | 210093 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 光柵 耦合 氮化 薄膜 波導 顏色 濾波器 制備 方法 | ||
1.基于鋁光柵耦合氮化硅薄膜波導的顏色濾波器,其特征在于,包括空氣襯底、氮化硅薄膜、二氟化鎂薄膜和鋁光柵,其中,二氟化鎂薄膜覆蓋在氮化硅薄膜上,鋁光柵設置在二氟化鎂薄膜表面;所述氮化硅薄膜的厚度為100nm。
2.根據權利要求1所述的基于鋁光柵耦合氮化硅薄膜波導的顏色濾波器,其特征在于,所述二氟化鎂薄膜的厚度為0-50nm。.
3.根據權利要求1所述的基于鋁光柵耦合氮化硅薄膜波導的顏色濾波器,其特征在于,所述鋁光柵的厚度為30-50nm,周期為260nm-530nm,占空比為0.6-0.8。
4.如權利要求1所述基于鋁光柵耦合氮化硅薄膜波導的顏色濾波器的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
a.采用厚度為100nm的氮化硅薄膜窗口作為基本框架,將氮化硅薄膜固定于電子束蒸鍍設備的鍍膜腔內上方的樣品架上,并且放置二氟化鎂坩堝和鋁坩堝,檢查腔室門密封圈無誤后手動抽真空;
b.待觀測到鍍膜腔內真空度達到10-6Torr低端時,打開蒸發高壓軟件,設置材料和蒸發參數;打開電子束電源和高壓開關;等待一分鐘,打開蒸發源擋板,開啟襯底旋轉,用坩堝控制器選擇二氟化鎂坩堝作為靶坩堝;
c.加2mA微弱電流并確定電子束束斑在坩堝內后,調整坩堝控制器使得束斑處于坩堝中心位置并且調整束斑參數;緩慢增大電流,當儀器上顯示蒸發速率達到0.1nm/s時,手動點擊蒸發高壓軟件,打開蒸發源擋板后,開始蒸發;
d.當蒸鍍一定厚度的二氟化鎂薄膜后,停止蒸發;手動緩慢減小電流至零,關閉高壓,等待15分鐘;
e.調節坩堝控制器,旋轉坩堝,將坩堝換為鋁坩堝,重復步驟c;
f.當蒸鍍一定厚度的鋁膜后,停止蒸發;手動緩慢減小電流至零,關閉高壓,關閉高壓軟件,等待15分鐘后關閉電子束電源;破真空放電并取出樣品及坩堝,將樣品保存在手套箱內;
g.將步驟f蒸鍍好的覆有二氟化鎂和鋁膜的氮化硅窗口置于聚焦離子束加工系統中;待真空度達到要求,設置加工材質和加工深度,調整離子束束流加工出鋁的光柵結構,即得所述基于鋁光柵耦合氮化硅薄膜波導的顏色濾波器。
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