[發明專利]半導體封裝件及其制造方法

在審

• 申請號: 201710101779.X
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN107305873A
• 公開（公告）日: 2017-10-31
• 發明（設計）人: 八甫谷明彥
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 周欣,陳建全

本申請以美國臨時專利申請第62/324702號(申請日：2016年4月19日)及美國臨時專利申請第62/382041號(申請日：2016年8月31日)為基礎申請主張優先權。本申請通過參照這些基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及半導體封裝件及其制造方法。

背景技術

已知有具備引線接合和模制樹脂部的半導體封裝件。

發明內容

本發明的實施方式提供可提高接合引線與模制樹脂部的密合性的半導體封裝件及其制造方法。

實施方式的半導體封裝件具備半導體芯片、導電部、接合引線、模制樹脂部和分子接合層。所述接合引線設在所述半導體芯片與所述導電部之間。所述模制樹脂部被覆所述半導體芯片、所述導電部的至少一部分及所述接合引線。所述分子接合層至少設在所述接合引線表面與所述模制樹脂部之間。所述分子接合層的至少一部分與含在所述接合引線中的金屬化學鍵合。所述分子接合層的至少一部分與含在所述模制樹脂部中的樹脂化學鍵合。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式的電子設備的一個例子的立體圖。

圖2是表示第1實施方式的半導體封裝件的剖視圖。

圖3是放大地表示第1實施方式的半導體封裝件的一部分的剖視圖。

圖4是示意性地表示第1實施方式的分子接合層的組成的一個例子的圖示。

圖5是表示第1實施方式的半導體封裝件的制造方法的流程的一個例子的剖視圖。

圖6是表示第1實施方式的第1變形例的半導體封裝件的剖視圖。

圖7是表示第1實施方式的第2變形例的半導體封裝件的一部分的剖視圖。

圖8是表示第2實施方式的半導體封裝件的剖視圖。

圖9是表示第3實施方式的半導體封裝件的一部分的剖視圖。

圖10是表示第4實施方式的半導體封裝件的一部分的剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對實施方式的半導體封裝件及半導體封裝件的制造方法進行說明。再者，在以下的說明中，對于具有相同或類似的功能的構成標注相同的符號。而且，有時將它們的重復的說明省略。此外，附圖是示意圖，各構成要素的數量、厚度、寬度、比率等與現實的有所不同。

(第1實施方式)

首先，參照圖1～圖5對第1實施方式進行說明。

圖1是表示第1實施方式的電子設備1的一個例子的立體圖。在電子設備1中可搭載第1實施方式的半導體封裝件10。電子設備1例如為可佩戴的設備，但并不局限于此。電子設備1例如為與IOT(物聯網：Internet Of Things)對應的電子設備，可通過無線或有線進行網絡連接。在此種情況下，半導體封裝件10的一個例子具有處理器(例如Central Processing Unit)、傳感器和無線模塊。再者，電子設備1及半導體封裝件10并不限定于上述例。電子設備1也可以是車載用的電子設備，也可以是其它用途的電子設備。半導體封裝件10也可以是作為車載用構件或功率半導體而使用的半導體構件，也可以是用于其它用途的半導體構件。此外，以下所示的第2及第3實施方式涉及的半導體封裝件10也可以搭載在上述的電子設備1中。

圖2是表示第1實施方式的半導體封裝件10的剖視圖。

如圖2所示的那樣，半導體封裝件10例如具備金屬基體20、半導體芯片30、分子接合層40、小片接合粘接層50、接合引線60、引片框架70和模制樹脂部80。

金屬基體20為“基體”的一個例子。再者，本申請中所說的“基體”，只要是固定半導體芯片30的部件即可，也可以不是金屬制。“基體”也可以稱為“支持體”。

金屬基體20含有具有導電性的金屬(例如金屬原料)20m作為構成原料。金屬基體20通過使用具有導電性的金屬，例如可作為半導體封裝件10的地線發揮作用。換句話來講，半導體芯片30可經由小片接合粘接層50與金屬基體20電連接(例如接地連接)。此外，金屬基體20可使用導熱率高的材料。通過使用導熱率高的材料，可提高半導體封裝件10的通常工作時的散熱性。作為這樣的金屬基體20的材料(例如第1原料)，可列舉出Cu、Mo、Ag、W、Fe、Ni或它們的合金等。例如，作為金屬基體20的材料，優選使用Cu或Cu與Mo的合金。通過使用這些材料作為金屬基體20的材料，可提高導熱率及導電性雙方。再者，在用金屬以外的材料形成基體時，基體的原料例如也可以是樹脂(例如合成樹脂)、陶瓷或其它原料。