[發(fā)明專利]基板處理裝置、基板處理方法及基板的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710101776.6 | 申請日: | 2017-02-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107123610B | 公開(公告)日: | 2021-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 濱田晃一;小林信雄 | 申請(專利權(quán))人: | 芝浦機(jī)械電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 制造 | ||
一種基板處理裝置、基板處理方法及基板的制造方法。有關(guān)實(shí)施方式的基板處理裝置(1)具備:基板支承部(20),支承基板(W);旋轉(zhuǎn)部(22),使上述基板(W)旋轉(zhuǎn);處理液供給部(40),向上述基板(W)的表面(Wa)供給處理液(L1);控制部(60),一邊使上述基板(W)旋轉(zhuǎn),一邊在進(jìn)行上述處理液(L1)的供給的基板處理中持續(xù)處理,并以預(yù)先設(shè)定的規(guī)定的定時(shí)進(jìn)行使上述處理液(L1)從基板(W)排出的排液速度變化的排液處理。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基板處理裝置、基板處理方法及基板的制造方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體或液晶面板等的制造工序中,使用向晶片或液晶基板等的基板的表面供給處理液而將基板表面處理的基板處理裝置(例如,參照特開平9-134872號(hào)公報(bào))。例如作為處理液而供給抗蝕劑剝離液或清洗液等,來進(jìn)行蝕刻處理或清洗處理。作為這樣的基板處理,已知有使基板旋轉(zhuǎn)、從與該基板表面對(duì)置的噴嘴向基板表面供給處理液、用旋轉(zhuǎn)的離心力將處理液在基板表面上展開的自旋式的基板處理。在這樣的基板處理中,將供給到基板上的處理液以對(duì)應(yīng)于處理?xiàng)l件的速度排出,依次供給新的處理液。
通常,將關(guān)于基板的旋轉(zhuǎn)及處理液的供給的各種處理?xiàng)l件設(shè)定為能夠確保基板處理的均勻性的條件。
在這樣的自旋式的基板處理中,根據(jù)處理?xiàng)l件而處理液長時(shí)間停滯于基板上,因此有在基板上的處理液中析出顆粒等在處理液中發(fā)生沉淀的情況。如果在處理液中發(fā)生沉淀,則例如蝕刻速率或抗蝕劑除去性能、清洗能力等的處理性能下降。因此,希望有能夠確保較高的處理性能的基板處理裝置、基板處理方法及基板的制造方法。
發(fā)明內(nèi)容
有關(guān)本發(fā)明的一方式的基板處理裝置,具備:基板支承部,支承基板;旋轉(zhuǎn)部,使上述基板旋轉(zhuǎn);處理液供給部,向上述基板的表面供給處理液;控制部,一邊使上述基板旋轉(zhuǎn),一邊在進(jìn)行上述處理液的供給的基板處理中持續(xù)處理,并以預(yù)先設(shè)定的規(guī)定的定時(shí),進(jìn)行使將上述處理液從基板排出的排液速度變化的排液處理。
有關(guān)本發(fā)明的另一方式的基板處理方法,包括:使基板旋轉(zhuǎn);向上述基板的表面供給處理液;用與上述基板對(duì)置配置的加熱器將上述基板加熱;在基板處理中,以預(yù)先設(shè)定的規(guī)定的定時(shí),一邊持續(xù)處理,一邊通過提高上述旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)速度、增加上述處理液的供給量、以及使上述基板與上述加熱器之間的間隙變窄的任1種以上的處理,從而使將上述處理液從基板上排出的排液速度變化。
有關(guān)本發(fā)明的其他方式的基板處理方法,包括:使基板旋轉(zhuǎn);向上述基板的表面供給處理液;用與上述基板對(duì)置配置的加熱器將上述基板加熱;在基板處理中,以預(yù)先設(shè)定的規(guī)定的定時(shí),一邊持續(xù)處理,一邊通過提高上述旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)速度、增加上述處理液的供給量、以及使上述基板與上述加熱器之間的間隙變窄的任1種以上的處理,從而使上述處理液從基板上移動(dòng)的排液速度變化。
根據(jù)實(shí)施方式,能夠提供一種能夠確保較高的處理性能的基板處理裝置、基板處理方法及基板的制造方法。
關(guān)于本發(fā)明的其他目的及優(yōu)點(diǎn),在以下的記載中會(huì)變得清楚,或者通過發(fā)明的實(shí)施例會(huì)變得清楚。并且,本發(fā)明的各種目的及優(yōu)點(diǎn)可以通過在權(quán)利要求書中清楚地指出的結(jié)構(gòu)及組合來達(dá)到。
附圖說明
構(gòu)成本說明書的一部分的附圖圖示了本發(fā)明的目前優(yōu)選的實(shí)施例,并且與上述概略性的記載及以下的優(yōu)選的實(shí)施例的詳細(xì)的記載一起來說明發(fā)明的本質(zhì)。
圖1是表示有關(guān)本發(fā)明的第1實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖2是該基板處理裝置的基板處理的流程圖。
圖3是表示對(duì)該基板處理裝置作用的加熱器的位置變化的說明圖。
圖4是表示該基板處理裝置的旋轉(zhuǎn)速度的次序的曲線圖。
圖5是表示有關(guān)本發(fā)明的第2實(shí)施方式的加熱器的位置的次序的曲線圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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