[發明專利]具有金屬海綿的金屬柱有效
| 申請號: | 201710101747.X | 申請日: | 2017-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN107230644B | 公開(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發明(設計)人: | 胡迪群 | 申請(專利權)人: | 胡迪群 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/525;H01L23/532;H05K1/18 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 隆翔鷹 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 金屬 海綿 | ||
1.一種具有金屬海綿的金屬柱,其特征是,包括第一金屬柱、第二金屬柱、第一金屬海綿和第二金屬海綿,其中:
第一金屬柱與第二金屬柱配置在第一電子組件的底面,且所述第一金屬柱和所述第二金屬柱之間具有高度差;
第一金屬海綿配置在所述第一金屬柱的前端,第二金屬海綿配置在所述第二金屬柱的前端;
所述金屬海綿具有壓縮性,后續在電性耦合時,可以吸收所述第一金屬柱和所述第二金屬柱之間的高度差。
2.根據權利要求1所述具有金屬海綿的金屬柱,其特征是,還包括第一金屬焊墊和第二金屬焊墊、第一焊料層和第二焊料層,其中:
第一金屬焊墊和第二金屬焊墊配置在第二電子組件的表面;
第一焊料層配置在所述第一金屬焊墊的表面;
第二焊料層配置在所述第二金屬焊墊的表面;
當所述第一金屬柱的金屬海綿和第二金屬柱的金屬海綿分別電性耦合至所述第一金屬焊墊、第二金屬焊墊時,焊料層受熱熔化過程中,至少局部被吸收到所述金屬海綿中,增強所述金屬柱電性耦合到所述金屬焊墊的穩固度。
3.根據權利要求1所述具有金屬海綿的金屬柱,其特征是,還包括第三金屬柱與第四金屬柱、第三金屬海綿、第四金屬海綿和第二金屬,其中:
第三金屬柱與第四金屬柱配置在第二電子組件的表面;
第三金屬海綿配置在所述第三金屬柱的前端;
第四金屬海綿配置在所述第四金屬柱的前端;
第二金屬分別設置于所述第三金屬海綿和所述第四金屬海綿的前端,所述第二金屬的硬度大于所述金屬海綿的硬度;
所述金屬海綿具有壓縮性,可以彌補所述第一金屬柱和所述第二金屬柱之間的高度差,也可以彌補所述第三金屬柱和所述第四金屬柱之間的高度差;
后續在電性耦合時,第三金屬海綿以及第四金屬海綿前端較硬的第二金屬,分別可以刺入第一金屬柱和所述第二金屬柱的前端金屬海綿。
4.根據權利要求3所述具有金屬海綿的金屬柱,其特征是,所述金屬海綿是銅金屬,所述第二金屬是鎳金屬,較硬的鎳金屬設置于金屬海綿的前端,提高金屬海綿的前端堅硬度。
5.根據權利要求4所述具有金屬海綿的金屬柱,其特征是,還包括金Au,設置于所述鎳金屬的表面;較硬的鎳金Ni-Au構成所述第二金屬,設置于金屬海綿的前端,提高金屬海綿的前端堅硬度。
6.根據權利要求1所述具有金屬海綿的金屬柱,其特征是,還包括多個凹槽金屬墊,配置在第二電子組件的頂面;每個凹槽金屬墊包括凹槽以及配置在凹槽表面的金屬;凹槽金屬墊適于對應的金屬柱插入,第一電子組件與第二電子組件電性耦合以后,金屬柱的金屬海綿卡固于凹槽,緊密接觸凹槽的表面金屬而獲得良好的電性耦合。
7.根據權利要求6所述具有金屬海綿的金屬柱,其特征是,所述凹槽金屬墊,從截面圖觀之,呈矩形或多邊形。
8.根據權利要求6所述具有金屬海綿的金屬柱,其特征是,電性耦合以后,所述金屬柱前端擠壓變形,形成凸塊;所述凸塊膨脹卡固于對應的凹槽,緊密接觸凹槽的表面金屬而獲得良好的電性耦合。
9.根據權利要求8所述具有金屬海綿的金屬柱,其特征是,還包括焊料,配置在相應凹槽的表面金屬的頂面;電性耦合以后,當焊料受熱熔化過程中,至少局部被吸收到所述金屬海綿中,增強所述金屬柱電性耦合到所述凹槽金屬墊的穩固度。
10.根據權利要求6所述具有金屬海綿的金屬柱,其特征是,所述凹槽金屬墊的表面金屬,延伸至凹槽上方基材表面,提供電性連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于胡迪群,未經胡迪群許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710101747.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





