[發(fā)明專利]一種用于變電站的避雷針有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710101072.9 | 申請日: | 2017-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN106785937B | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 冉丹婷;高攀亮;董娜 | 申請(專利權)人: | 寧夏中科天際防雷股份有限公司 |
| 主分類號: | H01T19/04 | 分類號: | H01T19/04;H02G13/00 |
| 代理公司: | 北京華識知識產權代理有限公司 11530 | 代理人: | 王宇 |
| 地址: | 750000 寧夏回族自治區(qū)銀川市金鳳區(qū)*** | 國省代碼: | 寧夏;64 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 避雷針 安裝桿 穩(wěn)定桿 變電站 簇狀 穩(wěn)定三角形 導電性能 基片表面 智能修復 耐腐蝕 相鄰簇 抗凍 涂覆 涂料 腐蝕 申請 | ||
1.一種用于變電站的避雷針,包括基片,其特征在于,所述基片上固定安裝有若干安裝桿,所述安裝桿的遠端部固定有簇狀避雷針,同一簇中相鄰的避雷針之間設置有穩(wěn)定桿,所述穩(wěn)定桿的兩端分別固定在所述簇狀避雷針上,形成穩(wěn)定的三角形狀結構;
所述基片與變電站通過導線相連,所述基片為電解銅基片;
所述基片表面涂覆耐腐蝕涂料層;所述耐腐蝕涂料中含有ZnO納米顆粒、異丙醇和中空介孔二氧化硅碳納米管微球;
所述基片經過以下處理方式處理:將電解銅基片浸漬于0.1M的HCl溶液中2h,然后用砂紙16目、80目和800目依次對電解銅基片的表面進行打磨,然后浸泡于60%的KOH溶液中2h,浸泡后的電解銅基片采用60~90℃的熱水沖洗5min,然后用5~10℃的水沖洗5min,使用50℃的電吹風吹干備用;
所述耐腐蝕涂料層的制備方法如下:
S1,中空介孔二氧化硅微球的制備:
①先用質量分數為10%的KOH溶液洗滌苯乙烯單體,用分液漏斗分液去除阻聚劑,重復5次,然后用超純水沖洗至pH=6.8~7.5;
②稱取0.25g三甲基氯化銨溶解于80mL超純水中,裝上回流冷凝系統(tǒng),通氮氣,逐滴滴加10g經步驟①處理后的苯乙烯,30~45℃磁力攪拌1h,加入5wt%偶氮二異丁基脒鹽酸鹽的水溶液20ml,然后置于真空干燥箱中5min,干燥箱的溫度調至50℃,取出后繼續(xù)磁力加熱攪拌,加熱溫度為50℃且置于氮氣環(huán)境下聚合反應24h,得到聚苯乙烯微球溶液;
③稱取1.0g十六烷基三甲基溴化銨溶于49mL去離子水中,再加入10g乙醇,1.0mL濃氨水,置于磁力攪拌器上攪拌,轉速為1000rpm/min;然后將10g聚苯乙烯微球乳液逐滴滴加上述十六烷基三甲基溴化銨混合液中,超聲分散30min,最后逐滴加入4.0g正硅酸乙酯,將磁力攪拌器溫度上升至40~50℃,持續(xù)攪拌10h;
④將經步驟③處理所得的乳液離心沉降,離心速度為10000rpm/min,離心溫度為5℃,沉淀使用乙醇洗滌后,重復離心洗滌5次,真空干燥箱50KPa、40℃干燥3.5h,干燥產物于馬弗爐中1500℃煅燒5h;
S2,碳納米管-緩蝕劑溶液配制:
①稱取由步驟S1制得的500mg中空介孔二氧化硅微球溶于L-組氨酸飽和水溶液中,超聲分散15min;
②稱取50mg碳納米管溶解于10ml超純水中,超聲分散15min,然后將碳納米管溶液加入至含中空介孔二氧化硅微球的L-組氨酸水溶液中,然后在25±5℃的真空干燥箱中于400~500KPa負壓反應24h,真空冷卻高速離心,離心溫度為0~5℃,離心速度為8000~10000rpm/min,離心所得沉淀于70~100℃真空箱中干燥過夜,即得吸附了L-組氨酸的中空介孔氧化硅碳納米管微球;
S3,制備基片涂覆液:
①80ml超純水中加入20ml甲醇,置于磁力攪拌器上,40℃加熱、100rpm/min攪拌5min,將縮水甘油醚氧丙基-甲氧基硅烷緩慢加入上述溶液中,0.1MHCl調節(jié)pH至6.1~6.8,室溫攪拌10min,得溶液a;
②然后稱取1.0mgZnO納米顆粒加入到35ml異丙醇中,在水浴50℃處理下,攪拌30min,使其混合均勻,然后將混合均勻的異丙醇加入上述溶液a,得到基片涂覆液;
S4,制備微球懸液:將經步驟S2制得的微球100mg溶解于100ml超純水中,室溫攪拌10min,形成透明的溶液,然后于溶液中滴加30mg酚醛樹脂前驅體溶液,攪拌10min,得到微球懸液;
S5,將S4中制備的微球懸液采用滴膠的方式逐滴滴加在經處理過的基片上,滴膠時間為5s,勻膠速度為1000rpm/s,勻膠30s,重復滴膠和勻膠3次;將滴好膠的基片置于90℃的烘箱中干燥過夜后形成薄膜;
S6,將步驟S3中配置的溶液采用浸漬提拉的方式涂覆于經過步驟S5處理的基片上,將基片置于烘箱中120~150℃加熱,加熱時間為5~10min,以在基片表面形成透明的膜。
2.根權利要求1所述的避雷針,其特征在于,所述基片表面涂覆耐腐蝕涂料層的厚度為50~100nm。
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