[發明專利]SRAM存儲器及其形成方法

在審

• 申請號: 201710100582.4
• 申請日: 2017-02-23
• 公開（公告）號: CN108470734A
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 甘正浩;馮軍宏
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

形成傳輸晶體管，形成所述傳輸晶體管的方法包括：

在所述基底上形成傳輸柵極結構，傳輸柵極結構底部的基底中具有溝道區，所述傳輸柵極結構具有相對的第一側和第二側；

在所述傳輸柵極結構第一側的基底中形成第一應力層，第一應力層的底部表面至傳輸柵極結構的底部表面具有第一距離；

在所述傳輸柵極結構第二側的基底中形成第二應力層，第二應力層和第一應力層的材料相同，第二應力層的底部表面至傳輸柵極結構的底部表面具有第二距離，第二距離小于第一距離。

2.根據權利要求1所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，當所述傳輸晶體管的類型為N型時，所述第一應力層和所述第二應力層對溝道區產生拉應力。

3.根據權利要求2所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一應力層和所述第二應力層的材料為摻磷的硅或者碳硅。

4.根據權利要求1所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，當所述傳輸晶體管的類型為P型時，所述第一應力層和所述第二應力層對溝道區產生壓應力。

5.根據權利要求4所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一應力層和所述第二應力層的材料包括鍺硅。

6.根據權利要求1所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一距離與所述第二距離的差值為10納米～50納米。

7.根據權利要求1所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述第一應力層的方法包括：在所述傳輸柵極結構第一側的基底中形成第一凹槽；在第一凹槽中外延生長第一應力層；

形成所述第二應力層的方法包括：在所述傳輸柵極結構第二側的基底中形成第二凹槽，第二凹槽的深度小于第一凹槽的深度；在第二凹槽中外延生長第二應力層。

8.根據權利要求7所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽和第二凹槽后，在外延生長所述第一應力層的同時外延生長所述第二應力層。

9.根據權利要求7所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述傳輸晶體管的方法還包括：在外延生長所述第一應力層的同時，在所述第一應力層中原位摻雜源漏離子，在所述傳輸柵極結構第一側的基底中形成第一源漏摻雜區；在外延生長所述第二應力層的同時，在所述第二應力層中原位摻雜源漏離子，在所述傳輸柵極結構第二側的基底中形成第二源漏摻雜區；所述第一應力層位于所述第一源漏摻雜區中，所述第二應力層位于所述第二源漏摻雜區中。

10.根據權利要求1所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述傳輸晶體管的方法還包括：在所述傳輸柵極結構第一側的第一應力層和基底中、以及所述傳輸柵極結構第二側的第二應力層和基底中注入源漏離子，在所述傳輸柵極結構第一側的基底中形成第一源漏摻雜區，在所述傳輸柵極結構第二側的基底中形成第二源漏摻雜區。

11.根據權利要求9或10所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，所述SRAM存儲器還包括：鎖存器，所述鎖存器包括上拉晶體管和下拉晶體管；在寫數據狀態時，所述上拉晶體管和下拉晶體管將數據通過所述傳輸晶體管存儲到鎖存器中；在讀數據狀態時，所述上拉晶體管和下拉晶體管將鎖存器中存儲的數據通過所述傳輸晶體管輸出；所述第二源漏摻雜區與所述鎖存器連接。

12.根據權利要求11所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，當所述SRAM存儲器處于讀數據狀態時，所述第一傳輸源漏區為傳輸晶體管的源區，所述第二傳輸源漏區為傳輸晶體管的漏區；當所述SRAM存儲器處于寫數據狀態時，所述第一傳輸源漏區為傳輸晶體管的漏區，所述第二傳輸源漏區為傳輸晶體管的源區。